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钨酸铅(PbWO4)晶体的研究概况

罗丽明 , 陶德节 , 王英俭

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.029

本文概要介绍了近年来国内外钨酸铅晶体的研究进展,包括它的晶体结构、常见缺陷、发光机制及掺杂改性等,着重阐述了着色机制和掺杂改性,并介绍了几种具有代表性的关于该晶体发光机制的观点.

关键词: 钨酸铅 , 着色 , 缺陷 , 发光机制 , 掺杂

硅纳米线的发光性能研究及其应用前景

唐元洪 , 李晓川

人工晶体学报

硅纳米线是一种具有优异的物理、化学及力学性能的半导体材料,其独特的光致发光性能使硅纳米线有望在低维纳米材料发展的基础上实现硅基纳米结构的光集成电路.文中重点介绍了硅纳米线光致发光特性的研究现状及其发光机制的理论研究,最后对硅纳米线的应用前景加以展望.

关键词: 硅纳米线 , 光致发光 , 量子限制效应 , 发光机制

纳米硅的光致发光机制

潘洪哲 , 徐明

材料导报

10多年来,人们对纳米硅的制备方法、微结构特征以及发光机制等方面进行了深入的研究和探讨.重点对不同制备条件及后期处理条件下的纳米硅的发光机制做了评述和总结,并对目前研究状况中存在的问题及发展前景进行了分析.

关键词: 多孔硅 , 纳米硅 , 发光机制 , 量子限制效应

氧化锌基纳米发光材料的研究进展

胡文远 , 杨定明 , 刘勋

材料导报

介绍了各类ZnO基纳米发光材料的发光机制、制备方法和发光特性的研究进展,并对其未来的研究方向进行了展望.

关键词: ZnO , 纳米发光材料 , 发光机制 , 制备

硅纳米晶粒的发光特性及其应用

袁媛 , 唐元洪 , 林良武

硅酸盐通报

硅纳米晶粒具有独特的光致发光(PL)和电致发光(EL)特性,在纳米光电子器件中具有巨大的潜在应用价值.通过近年来硅纳米晶粒的研究成果,总结了影响硅纳米晶粒发光特性的各种因素和各种条件下的发光机制,并综合评述了硅纳米晶粒在发光二极管、激光器等纳米发光器件及荧光粉等方面的应用,指出了未来硅纳米晶粒的研究方向.

关键词: 硅纳米晶粒 , 发光特性 , 发光机制 , 发光应用

铝酸盐系长余辉发光材料的研究新进展

曲艳东 , 李晓杰 , 陈涛 , 李瑞勇

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.01.022

稀土离子激活的铝酸盐系长余辉发光材料因其余辉时间长、余辉亮度高、性能稳定、不含放射性等优点受到了广泛关注. 由于其性能优越, 大大拓宽了长余辉材料的应用领域, 因此它已经成为储能节能发光材料研究的新中心. 近几十年来, 无论材料的制备还是应用开发都已经取得了很大的进展. 主要综述了铝酸盐系长余辉发光材料的研究历史, 特别是近十几年的研究进展, 对长余辉发光材料余辉机制、制备方法进行了总结, 同时也介绍了国内外长余辉发光材料开发应用现状, 对其今后的研究与应用前景进行了展望.

关键词: 发光机制 , 铝酸锶 , 制备方法 , 稀土离子

SnO2纳米颗粒的制备及其发光性能

王云 , 王虹 , 孙光爱 , 陈喜平 , 王仕发

材料研究学报

用大分子网络凝胶法合成了氧化锡(SnO2)纳米颗粒.X射线衍射(XRD)结果表明,合成的SnO2纳米颗粒具有四方金红石结构,不含任何杂质相.扫描电镜(SEM)观察发现,制得的SnO2纳米颗粒形貌规整、呈类菱形.荧光光谱结果表明,在326 nm波长的光激发下,其荧光光谱由四个主发射带组成,其峰值分别位于379,417,450,470 nm.用230 nm波长的光激发,得到一个740 nm的荧光发射峰.基于实验结果,探讨了纳米SnO2的形成机理和发光机制.

关键词: 无机非金属材料 , 大分子网络凝胶法 , SnO2 , 纳米颗粒 , 发光机制

多孔硅研究的发展

王晓静 , 李清山

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2003.06.005

多年来,人们对多孔硅的制备方法、微结构特征及其化学成分、发光特性以及发光机制等方面做了深入的研究和探讨,文章对这几个方面的研究工作做了介绍,并对目前的研究状况和应用研究中存在的问题进行了分析.制备出均匀性好、发光效率高、性质稳定、机械强度较高的多孔硅是促进其实用化进程的基本途径.人们对多孔硅进行大量研究的目的主要在于获得硅发光集成装置,另外多孔硅的应用研究也体现在光电子器件、光学器件和传感器件3个方面.多孔硅在微电子学、晶片机械加工、生物工艺学等领域也具有潜在的应用价值.

关键词: 多孔硅 , 制备方法 , 发光机制 , 应用

GaN薄膜的研究进展

马洪磊 , 杨莺歌 , 刘晓梅 , 刘建强 , 马瑾

功能材料

由于GaN薄膜有希望应用在紫外或蓝光发光器件、探测器以及高速场效应晶体管、高温电子器件,GaN材料是当前研究的一个焦点.本文简要介绍了GaN薄膜的制备、衬底选择、掺杂、缓冲层、发光机制和表征等方面的最新进展,指出GaN材料进一步发展需要解决的关键技术问题.

关键词: GaN薄膜 , 研究进展 , 发光机制

锗纳米镶嵌薄膜的电致发光及其机制

董业民 , 叶春暖 , 汤乃云 , 陈静 , 吴雪梅 , 诸葛兰剑 , 王曦 , 姚伟国

功能材料

采用射频磁控溅射技术,在Ge纳米镶嵌薄膜的基础上制备出电致发光器件.器件的结构为半透明Au膜/Ge纳米镶嵌薄膜/P-Si基片.当正向偏压大于6V时,用内眼可以观察到可见的电致发光,但在反向偏压下探测不到光发射.所测电致发光谱中只有一个发光峰,峰位在510nm(2.4eV,绿光),并且随着正向偏压的升高,峰位不发生移动;对于不同温度退火的样品,峰位也保持不变.根据分析结果讨论了可能的电致发光机制.

关键词: 锗纳米镶嵌薄膜 , 电致发光 , 发光机制

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