郑安生
,
邓志杰
,
俞斌才
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.031
在整个化合物半导体工业中,光电子工业一直占主导地位.本文概述了化合物半导体材料在发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、太阳电池(SC)和光探测器(PD)方面的应用现状及发展趋势.以高亮度LED为基础的固态光源由于有着巨大的经济效益、能源效益和环境效益从而有很好的发展前景.量子结构光电器件由于具有一系列独特性能,将越来越受到重视.
关键词:
化合物半导体材料
,
光电器件
,
发光二极管
,
激光二极管
,
太阳电池
,
光探测器
,
量子结构
韦文生
,
徐刚毅
,
王天民
,
张春熹
材料导报
介绍了氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜在电子学器件和光电转换器件(如隧道二极管、异质结二极管、变容二极管、单电子晶体管、太阳能电池、发光二极管)等方面的研究进展,分析了这些器件的性能与nc-Si:H薄膜结构之间的关系,阐述了新型器件的优点.
关键词:
nc-Si:H薄膜
,
隧道二极管
,
异质结二极管
,
变容二极管
,
太阳能电池
,
单电子晶体管
,
发光二极管
解荣军
,
周天亮
,
高桥向星
,
广崎尚登
应用化学
doi:10.11944/j.issn.1000-0518.2016.08.160240
基于氮化镓的白光发光二极管(LED)是目前一项崭新的背光源技术,广泛应用于宽色域、高光效的液晶显示屏.在此项技术中,作为关键材料的荧光粉决定着背光单元的色域范围、发光效率和可靠性,因而要求它应具合适的发射波长和窄带发射.β-sialon∶ Eu2+(sialon:silicon aluminum oxynitride(赛龙))就是一款非常适合背光应用的绿色荧光粉,这得益于其位于525 ～ 545 nm发射峰和只有55 nm狭窄的峰宽.此文回顾和综述了β-sialon∶ Eu2+的合成方法、光谱特性、电子结构、晶体结构、可靠性和它的具体应用.计算模拟和实验测试结果表明,Eu2+位于沿c轴方向的大孔道之中,并与6个最紧邻的(0,N)原子等距离配位.因而,Eu2+的狭窄发射峰源自于Eu2+局域结构的高度对称性.β-sialon∶ Eu2+的发射波长和带宽都能通过组成裁剪,即z值,进行调控;低z值组成能够实现更短波长发射和更窄带宽.与传统的基于钇铝石榴石(YAG)荧光粉的背光源相比,β-sialon∶ Eu2+再搭配红色荧光粉制备的背光源具有更宽的色域,色域范围可提高15％以上.其优异的发光性能和高可靠性使得β-sialon∶ Eu2+成为应用于先进显示屏的极其重要的绿色发光材料.
关键词:
稀土
,
氮化物
,
beta-sialon∶Eu2+
,
荧光粉
,
电子结构
,
发光二极管
,
背光源
丁辉龙
,
何莼
,
叶家明
,
陈喆垚
电镀与涂饰
为了满足发光二极管(LED)照明市场目前及日后持续快速增长的迫切需要,开发了一种用于引线框架的新型高光亮度银电镀产品.该镀银液含有的氰化物浓度低,所得银镀层具有高光亮度(≥ 2.0 GAM)和高反射率(波长450 nm下≥94％),能降低光吸收损失,增大光反射,从而提高LED的出光效率,并且键合及焊接性能优良.该新型高光亮度银电镀产品工艺操作范围宽,可用于40～ 100A/dm2下的高速喷镀设备,能稳定生产出高光亮度及性能优异的银镀层,提高生产力.
关键词:
发光二极管
,
引线框架
,
镀银
,
光亮度
,
键合性能
,
可焊性
张玮
,
谭劲
,
鄢维
,
雷婷
,
孟小康
,
孙夏微
,
李聪明
材料导报
金刚石作为自然界中热导性最好的材料,在半导体行业的应用越来越广泛.随着LED行业的不断发展,金刚石芯LED也崭露头角.综述了自20世纪50年代以来,金刚石材料作为衬底和外延材料在半导体光电子领域的研究进展.主要从两个方面展开论述:金刚石作为衬底外延GaN的研究进展；以及金刚石本身作为外延材料制备成p-n结、p-i-n结、异质结等半导体器件的研究进展.这些研究充分体现了金刚石材料应用在LED产品中的可行性和优越性,以及应用在大功率LED芯片中的巨大潜力.
关键词:
金刚石
,
发光二极管
,
衬底
,
外延材料
雷通
,
王小平
,
王丽军
,
张雷
,
吕承瑞
,
王隆洋
材料导报
LED产业目前发展非常迅速,LED白光照明和全色显示的前景被普遍看好.宽禁带半导体在LED产业中的应用是推动LED产业向前发展的一个重要动力,并已成为很多国家研究和开发的热点.目前宽禁带半导体在LED产业中发展很快,其应用越来越广泛,相关技术也日渐成熟.综述了几种具有代表性的第三代半导体材料在LED产业中的发展和应用以及各自面临的问题.
关键词:
宽禁带半导体材料
,
SiC
,
GaN
,
ZnO
,
金刚石
,
发光二极管
陈席斌
,
马淑芳
,
董海亮
,
梁建
,
许并社
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.05.01
采用金属有机化学气相沉积方法在蓝宝石衬底上外延生长GaN基材料,设计并优化外延生长条件,探索单层N型GaN(N-GaN)、多量子阱(MQW)、电子阻挡层(P-AlGaN)、P型GaN(P-GaN)材料对发光二极管(LED)器件的光电性能的影响.通过X射线衍射仪(XRD)、电致发光谱(EL)、光致发光谱(PL)等测试设备对外延片进行表征.结果表明:经优化Si掺N-GaN和垒层(QB),获得较好的(102)、(002)半峰宽,正向电压从4.46 V分别降至3.85 V、3.47V,发光强度从4.86 mV提高到6.14 mV.然后对P型AlGaN层进行Mg掺杂优化,正向电压下降至3.35V,发光强度提高到6.14 mV.最后对P-GaN层进行了生长温度及退火温度的优化,结果发现正向电压从3.16V提高至3.32V,发光强度提高至6.70 mV左右.全自动探针台在测试电流20 mA的条件下,对芯片的电压和发光强度进行了测试,电压大致从4.5V降到3.8V左右,下降了16％.发光强度大概从110 mcd提高到135 mcd,提高了 20％左右.结合实验结果与理论综合分析,解释了N-GaN层和QB层Si掺量,P-AlGaN层Mg掺量,P-GaN层生长温度及活化温度对正向电压和亮度的影响,从而为高质量GaN薄膜材料外延生长及高性能的LED提供了更好的实验指导与理论支持.
关键词:
发光二极管
,
GaN
,
正向电压
,
发光强度
刘永
,
周亚运
,
杨慧
,
张秋函
,
谭慧英
,
汪正良
人工晶体学报
利用高温固相法,合成出Eu2+、Ce3+、Mn2+共掺的Ca8 Mg(SiO4) 4Cl2系列绿色荧光粉.通过XRD表征了这些荧光粉的结构,通过分子荧光光谱仪研究了它们的室温发光性能.首先调查了Eu2+掺杂的Ca8 Mg(SiO4)4Cl2绿色荧光粉发光性能,随后引入Ce3+、Mn2+提高了Ca8Mg(SiO4)4Cl2∶Eu2+在紫外光区的吸收强度及绿光发射强度.最后将筛选出来的荧光粉与InGaN-LED芯片组装制作成单一绿光LED器件,利用Ca7.8215MgSi4O16Cl2∶0.0525Eu2+,0.056Ce3+,0.070Mn2+所制作成的绿光LED器件发光最强,在20 mA电流激发下,此LED发很强的绿光,其电致发光光谱所对应的色坐标值为:x=0.26,y=0.55.
关键词:
荧光粉
,
发光性能
,
发光二极管
,
Ca8Mg(SiO4)4Cl2
欧欣
,
陈静
,
武爱民
,
孙家胤
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.015
本文在采用键合工艺制备以硅为衬底的氮化镓发光二极管的工艺过程中分别尝试采用金-金,金-硅,铝-铝,铝-硅键合对.研究发现金-金键合对得到了100%的键合面积.键合工艺结束后,采用KrF激光分离氮化镓发光二极管的器件层和原蓝宝石衬底.通过超声波造影仪(SAM)和扫描电子显微镜(SEM)研究了金属键合工艺过程中相应的键合机制.
关键词:
晶圆键合
,
氮化镓
,
发光二极管
,
剥离
杨育农
,
刘煜
,
王斌
,
王全
,
王浩江
,
谢宇芳
,
殷永彪
,
汤胜山
合成材料老化与应用
doi:10.3969/j.issn.1671-5381.2010.03.008
综述了国内外发光二极管(LED)封装用高分子材料的研究进展,包括环氧树脂、改性环氧树脂、有机硅树脂等,指出了今后功率型LED封装用高分子材料的研究方向,认为高性能有机硅树脂将成为高端LED封装材料的封装方向之一.
关键词:
发光二极管
,
封装
,
环氧树脂
,
有机硅树脂
,
高分子材料
