胡娟
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杨小勇
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于溯源
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吴国是
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徐景明
工程热物理学报
含铬废物在高温下与空气中氧发生燃烧反应,形成多种铬的氧化物,不同价态铬氧化物的毒性有较大差异,其中六价铬剧毒具有极强的致癌作用.Kashireninov和Fontijn(1998)在B.B.Ebbinghaus(1993,1995)研究基础上,通过热力学平衡分析给出了Cr-O-H-Cl-C燃烧系统中可能的铬氧化化学反应.本文从量子化学角度研究了其中CrO2OH+O→CrOOH+O2反应机理.通过Gaussian 98软件在B3LYP/6-311++G(d,p)模型化学水平上,优化得到各反应物质的几何结构、内部反应路径及经过零点能校正后的各驻点能量.采用过渡态理论计算标题反应CrO2OH+O→CrOOH+O2在1.01325×105Pa下反应速率常数为k(T)=4.37×10-17Texp(-7641.17/T)cm3·mol-1·s-1.
关键词:
铬
,
反应路径
,
过渡态
,
活化能
,
Gaussian98
胡娟
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杨小勇
,
吕雪峰
,
齐炜炜
,
于溯源
,
吴国是
,
徐景明
工程热物理学报
本文从量子化学角度研究了在含铬物质焚烧的反应中CrO3+H2(←→)CrO2+H2O反应机理.通过Gaussian 98软件计算,优化得到各反应物质的几何结构以及体系的内部反应路径,得出该反应体系为两步反应:首先由CrO3+H2经过一个过渡态生成中间体HCrO3+H,然后由中间体HCrO3+H经过一个过渡态生成CrO2+H2O.通过反应物和产物的活化能比较,得出该反应体系更易于正向反应发生.
关键词:
铬
,
反应路径
,
过渡态
,
活化能
,
Gaussian98
徐楠
,
左然
,
何晓焜
,
于海群
人工晶体学报
对垂直转盘式MOCVD反应器生长GaN的气相化学反应路径进行研究.结合反应动力学模型,分别采用预混合进口但改变反应腔高度,以及采用环形分隔进口,对反应器的温场、流场和浓度场进行CFD数值模拟,由此确定反应器结构参数对化学反应路径的影响.通过观察主要含Ga粒子的浓度分布以及不同反应路径对生长速率的贡献,判断该反应器可能采取何种反应路径.研究发现,RDR反应器的主要反应路径是TMG热解为DMG,DMG为薄膜沉积的主要前体.反应腔高度变化对反应路径影响较小,但生长速率略有增大；当从预混合进口改为环形分隔进口时,生长更倾向于TMG热解路径,同时生长速率增大,但均匀性变差.
关键词:
生长速率
,
MOCVD
,
GaN
,
反应路径
刘琳静
,
陈敬超
,
冯晶
,
于杰
,
杜晔平
稀有金属材料与工程
采用反应合成法制备Ag/SnO2复合材料,并从电子-原子层次详细阐述反应中合金中间化合物向富集区转变、寻找过渡态最后生成稳定相的过程.结果表明:Sn的活化性能高于Ag,氧源的参与对反应过程起主导作用,且初始反应混合物中分解游离态的O是氧化反应能持续、彻底进行的另一个重要途径,最后预测出完整的反应路径.
关键词:
Ag/SnO2
,
第一原理
,
稳定性
,
反应路径
罗卓卿
,
洪崇轩
,
袁中新
,
洪雨利
催化学报
将改良式溶胶-凝胶法制备的酸性触媒TiO2/SO2-4涂布于不锈钢网上,并利用自行设计之批次式光催化反应器,在三组近紫外灯管(波长为365 nm,光强度为2.0 mW/cm2)照射下,进行CO2光催化还原反应操作参数(还原剂种类、CO2初始浓度和反应温度)之影响研究.结果显示,使用氢气为还原剂可获得最高的光催化还原速率,光还原反应之主要气态产物为CO和甲烷,其次为微量的乙烯与乙烷.同时,光催化还原速率亦随着CO2初始浓度及反应温度的提高而增加.FT-IR光谱分析发现,TiO2/SO2-4光触媒表面有甲酸、甲醇、碳酸盐、甲酸盐及甲酸甲酯等产物之存在.TiO2/SO2-4光触媒催化还原CO2有两种可能反应路径,其中一种反应路径生成CO,CH4,C2H4及C2H6等气态产物;而另一种反应路径则生成CO2-3ads,CH3OHads,HCOO-ads,HCOOHads,HCOHads与HCOOCH3ads等吸附在光触媒表面的产物.
关键词:
二氧化钛
,
硫酸
,
酸性触媒
,
二氧化碳
,
光还原
,
反应路径
于海群
材料导报
依据文献中的气相反应路径,特别是寄生反应模型和刻蚀反应模型,指出对于存在冷壁面的水平式,加合物的反应路径对沉积起重要作用.在加合物路径中,对薄膜生长起决定作用的是TMGa和TMGa:NH3,而环状化合物[(CH3)2Ga:NH2]3形成的可能性很小,可以忽略.对于垂直式反应器,所有的反应物粒子均经过高温边界层区域,遵循热解路径.在高温条件下,对薄膜生长起决定作用的是MMG.纳米粒子的形成需要高温条件,并且纳米粒子的生长遵循CVD机理,可认为气相纳米粒子的主要成分可能是GaN.在高温条件下H2对GaN的刻蚀作用不可忽视.
关键词:
反应路径
,
MOCVD
,
动力学
唐建新
,
苗赫濯
金属学报
通过热力学计算, 结合Ｔｉ－Ｂ－Ｃ的等温截面图分别获得了Ｔｉ, Ｂ和Ｃ在１６００℃的化学势稳定图, 在满足热力学和质量守恒条件下利用化学势从高向低扩散的原理, 预测了在１６００℃等温等压时Ｔｉ和Ｂ４Ｃ之间发生化学反应时可能存在的反应路径, 利用扩散偶实验证实了该温度条件下的反应扩散路径为：Ｔｉ／ＴｉＣｘ／ＴｉＢ／Ｂ４Ｃ.
关键词:
扩散
,
null
,
null
