孙静
,
康琳
,
刘希
,
赵少奇
,
吉争鸣
,
吴培亨
,
郝西萍
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.03.005
在制备所有的NbN超导隧道结的过程中,为了得到良好的隧道结,刻蚀是很关键的一步,我们对反应离子刻蚀(RIE)和离子刻蚀两种不同的方法进行了研究比较.通过对多层结构用三种不同的方法刻蚀,再进行SEM观察切面图像,发现离子刻蚀出来的薄膜边缘,与离子源与基片摆放的方向有很大的关系,而RIE刻蚀的结区边缘较为平缓且结果稳定,有利于我们制备更好质量的超导隧道结.
关键词:
反应离子刻蚀RIE
,
离子刻蚀
,
SEM成像
