陈崧哲
,
张彭义
,
祝万鹏
,
庄大明
催化学报
采用中频交流磁控溅射法,以O2/N2混和气为反应气体,在铝片上沉积了氮掺杂TiO2膜.利用原子力显微镜、紫外-可见光谱、X射线衍射和X射线光电子能谱等手段研究了掺杂膜的表面形貌、光吸收性能、物相组成以及膜样品中氮的化学态,并通过苯甲酰胺的光催化降解实验对光催化剂活性进行了评价.结果表明,所得掺杂膜仅能够被紫外光所激发,反应气的配比对膜的形貌和TiO2的锐钛矿/金红石相比率均有影响,而氮在膜中以掺杂N3-、表面吸附N2和固溶N2的形式存在.随着N3-掺入量的增加,掺杂膜的光催化活性显著提高,在反应气体组成为N2/(O2+N2)=80%(体积分数)时,掺杂N3-量为0.594%,苯甲酰胺光催化降解效果最好,其活性约为纯TiO2膜的1.5倍.
关键词:
二氧化钛
,
膜
,
氮
,
掺杂
,
光催化
,
反应磁控溅射
,
苯甲酰胺
张金林
,
贺春林
,
王建明
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杜兆富
,
赵栋梁
,
才庆魁
金属功能材料
采用直流反应磁控溅射方法在AISI304不锈钢和Si(100)表面沉积了TiN薄膜,利用场发射扫描电镜、X射线衍射仪和电化学技术研究了基体温度对TiN薄膜结构与电化学性能的影响.结果表明:TiN薄膜为柱状结构,表面平整、致密,但基体温度高于300℃时膜表面存在微裂纹.薄膜为面心立方结构δ-TiN并存在择优取向,室温和150℃时的薄膜择优取向为(111)晶面,300℃和450℃时为(200)晶面;基体为室温时薄膜厚度为0.63 μm,温度提高到150℃后膜厚增加到1μm左右,但继续升温对膜厚影响并不明显.薄膜在NaCl溶液中的腐蚀为点蚀,基体温度为150℃时的TiN薄膜具有最高的开路电位和点蚀电位以及最低的腐蚀速率,因此具有最佳的耐蚀性.
关键词:
反应磁控溅射
,
TiN
,
基体温度
,
微结构
,
电化学性能
朱家俊
,
周灵平
,
刘新胜
,
彭坤
,
李德意
,
李绍禄
人工晶体学报
采用单、双靶反应磁控溅射法分别在45钢、GCr15钢、硅(100)和钼衬底上制备了AlN薄膜.X射线衍射和电子显微分析表明,双靶反应磁控溅射沉积的AlN薄膜具有高致密度和低残余应力,同时采用划痕法和压痕法等对AlN薄膜的粘结强度进行测试, 结果表明:双靶反应磁控溅射共沉积AlN薄膜的粘结强度明显比单靶沉积的薄膜高,划痕临界载荷提高0.5～2倍.不同衬底上沉积的AlN薄膜粘结强度存在很大的差别,以钼衬底上沉积的薄膜粘结强度最高,划痕法测得的临界载荷高达64 N;GCr15衬底上AlN薄膜摩擦试验表明,AlN薄膜能明显起到减磨作用.
关键词:
AlN薄膜
,
反应磁控溅射
,
粘结强度
,
共沉积
袁广才
,
徐征
,
张福俊
,
王勇
,
许洪华
,
孙小斌
功能材料
采用射频反应磁控溅射的方法,以ITO(铟锡氧化物)玻璃为衬底,在Al2O3/AlN复合栅极绝缘层上沉积有源层ZnO薄膜,并以Al作为透明薄膜晶体管器件源极和漏极,通过XRD、透射光谱研究了透明薄膜晶体管的有源层ZnO的结晶情况以及对器件在可见光范围内的透过特性的影响,得出以Al2O3/AlN为复合缓冲层薄膜晶体管,在400℃温度下退火处理后,ZnO有源层有较好的c-axis(002)择优取向,器件在可见光的范围内整体透过率在88%以上,从而实现了ZnO-TFT器件在可见光范围内的透明.
关键词:
ZnO薄膜
,
反应磁控溅射
,
透射率
,
透明薄膜晶体管
肖娜
,
杜菲菲
,
邢韵
材料与冶金学报
doi:10.14186/j.cnki.1671-6620.2015.03.011
在不同沉积时间和基板温度下,采用反应磁控溅射的方法在Ti6Al4V基板上沉积TiN薄膜,溅射过程中固定溅射总压、溅射功率、氮氩流量比等沉积条件.利用XRD、SEM分别研究了薄膜的微观结构和表面、截面形貌,利用显微硬度仪和划痕仪分别测量了薄膜的硬度和膜基结合力.研究结果表明:随着沉积时间的增加,薄膜硬度和膜基结合力均有增大趋势;随着基板温度的升高,TiN薄膜择优取向由(lll)转向(200)晶面,表面形貌由三角锥转变为片层状,硬度和膜基结合力均呈现升高趋势.
关键词:
反应磁控溅射
,
TiN薄膜
,
沉积时间
,
基板温度
,
结合力
王蕊
,
喻利花
,
许俊华
机械工程材料
采用多靶反应磁控溅射技术在不同碳靶功率(碳靶功率与碳含量成正比)下制备了WCN纳米复合膜,采用X射线衍射仪、扫描电镜、纳米压痕仪和高温摩擦磨损仪等对薄膜结构和性能进行表征,研究了碳含量对WCN复合膜的影响.结果表明:随碳靶功率即碳含量的增加,薄膜的物相在原单一WN相的基础上,出现了新相WCN,并且晶格常数不断增大,同时薄膜的硬度和弹性模量先升后降,在碳靶功率为120 W时,两者均达到最大值,分别为36.70,409.16 GPa；复合膜的常温摩擦因数和磨损率随碳含量的增加呈现先减小后增大趋势,高温时薄膜的摩擦因数高于常温的；薄膜的主要磨损机理是磨粒磨损.
关键词:
WCN复合膜
,
反应磁控溅射
,
微观结构
,
显微硬度
马扬昭
,
谢中
,
周艳明
,
夏丰金
,
冯双磊
,
李科
材料导报
在N2、Ar气氛中,采用反应直流磁控溅射法在Al2O3基陶瓷及玻璃基底上制备了Ta-N薄膜,并对各样品的形貌结构、化学组分及电学特性进行了比较分析研究.结果表明,沉积于Al2O3陶瓷及玻璃基底的Ta-N薄膜分别呈团簇状生长与层状紧密堆积生长；Al2O3陶瓷基底沉积的Ta-N为单相薄膜,而玻璃基底上的Ta-N薄膜,随N2、Ar流量比增加,呈单相向多相共存转变；薄膜表面形貌和微结构与基底材料的原始形貌和微结构紧密相关,这说明基底材料对薄膜的形成有重要的影响；N2、Ar流量比相同时,玻璃基底上沉积的Ta-N薄膜电性能优于Al2O3基陶瓷基底上沉积的Ta-N薄膜.
关键词:
Al2O3基陶瓷基底
,
玻璃基底
,
Ta-N薄膜
,
反应磁控溅射
,
氮分压
,
电阻温度系数
刘星
,
马国佳
,
孙刚
,
段玉平
,
刘顺华
稀有金属材料与工程
采用微波增强的反应磁控溅射和离子注入法以及两者相结合的工艺制备了TaN系薄膜.通过X射线衍射(XRD)分析了薄膜的晶体结构,用微磨损仪和白光轮廓仪对样品的摩擦系数和磨损情况进行了检测和分析.结果表明,Ta离子注入与TaN沉积相结合的方式制备的薄膜耐磨损性能较好,其中Ta离子注入后沉积的Ta/TaN多层膜耐磨性能最好.说明此种工艺有效整合了两种工艺的优点,有利于薄膜力学性能的改善.
关键词:
反应磁控溅射
,
离子注入
,
TaN
,
磨损性能
赵韦人
,
李鸣楚
,
伍锦添
,
於元炯
金属功能材料
doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2004.04.007
采用反应磁控溅射在不锈钢衬底上制备Cr-N薄膜,并研究了基片温度、氮气分压和溅射功率变化对薄膜相组成的影响.结果表明,基片温度升高使薄膜由单一的CrN相变成CrN和Cr2N两相共存,同时使有效的沉积速率下降;在基片温度为373K、溅射功率约45W时,氮气和氩气流量比在1:4到3:2的范围内变化时,薄膜的相组成几乎没有明显的变化;过高的溅射功率使薄膜以非晶态的形式存在.热处理后的Cr-N薄膜通常有CrN和Cr2N两相共存.
关键词:
反应磁控溅射
,
Cr-N薄膜
,
X射线衍射
,
相
王磊
,
杜军
,
毛昌辉
,
杨志民
,
熊玉华
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.01.006
采用反应磁控溅射法制备SnO2薄膜经常出现化学计量比的失衡问题.通过控制溅射过程中的氧分压制备不同化学计量比的SnO2-x薄膜,研究非化学计量比对薄膜结构、成分以及气敏性能的影响.XRD结果表明氧分压对材料结构和取向的影响非常显著.薄膜的O/Sn和表面化学成分通过XPS进行确定,分析发现氧分压的增加促使薄膜接近化学计量比,但表面化学吸附氧含量在0.33Pa氧分压下达到最大.气敏性能测试表明,非化学计量比主要影响薄膜表面的化学吸附氧数量,从而影响导电性和气体敏感性.氧分压对薄膜化学吸附氧的影响趋势与对气敏性能的影响趋势一致.0.33Pa氧分压下制备的薄膜拥有最多的表面吸附氧,同时对氢气的灵敏度高达45.6%.另外,在0.2～0.5Pa氧分压下制备的薄膜对氢气具有较好的选择性.
关键词:
SnO2薄膜
,
氧分压
,
非化学计量比
,
反应磁控溅射
