刘洪丽
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李树杰
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张听
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陈志军
稀有金属材料与工程
采用SiC/Si3N4陶瓷先驱体聚硅氮烷连接反应烧结碳化硅陶瓷,研究了连接温度、连接压力、浸渍/裂解增强处理对连接强度的影响.结果表明:在1100℃～1400℃温度范围内,连接强度先升高后降低;连接过程中施加适当的轴向压力可提高连接层致密度;浸渍/裂解增强处理可大幅度提高接头强度.当连接温度为1300℃,连接压力为15 kPa,经3次增强处理的连接件抗弯强度达最大值169.1 Mpa.这种连接件的断口表面粘有大量SiC母材.由XRD研究表明,随着温度的逐步升高,聚硅氮烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变.微观结构及成分分析显示:连接层为厚度 2 μm～3 μm的SiCN无定形陶瓷,其结构较为均匀致密;连接层与基体间界面接合良好.
关键词:
陶瓷连接
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SiC/Si3N4陶瓷先驱体
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聚硅氮烷
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反应烧结碳化硅(RBSiC)
刘洪丽
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李树杰
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李星国
稀有金属材料与工程
研究了活性填料纳米Ni粉对陶瓷先驱体聚硅氮烷连接反应烧结SiC陶瓷接头性能的影响,同时与惰性填料纳米SjC粉及活性填料微米Ni粉进行了对比,指出填料的种类及颗粒度对连接强度均有较大影响.活性填料纳米Ni粉的加入可减少连接层内的孔隙和裂纹,同时还可以与聚硅氮烷的裂解产物及母材发生反应,促进聚硅氮烷的裂解,从而降低连接温度,提高连接强度.当连接温度为1200℃时,其最大抗弯强度达到251.6 MPa.微观研究表明,连接层结构较为均匀致密,且与母材间界面结合良好.惰性填料纳米SiC粉对连接强度没有明显改善.微米Ni粉因不能与先驱体形成均匀的连接层而导致连接强度降低.
关键词:
特种连接
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陶瓷连接
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纳米Ni粉
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陶瓷先驱体
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反应烧结碳化硅(RBSiC)
刘洪丽
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李树杰
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陈志军
稀有金属材料与工程
采用陶瓷先驱体有机聚合物聚硅氧烷连接反应烧结碳化硅(RBSiC)陶瓷.研究了连接温度、连接压力、保温时间对连接强度的影响.通过正交优选实验,确定了最佳工艺参数:连接温度为1300℃,连接压力为25 kPa,保温时间为120 min.在此工艺条件下制备的连接件经3次浸渍/裂解增强处理,其抗弯强度达132.6 MPa,连接件断口表面粘有大量从母材剥离下来的SiC.XRD研究表明,在1100℃～1400℃的试验范围之内,随着连接温度的逐步升高,聚硅氧烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变.这种转变对连接强度有显著影响.扫描电镜(SEM)及能谱(EDX)分析显示,连接层厚度为3 μm左右,结构较为均匀致密,且与母材间界面结合良好.
关键词:
特种连接
,
陶瓷连接
,
陶瓷先驱体
,
聚硅氧烷
,
反应烧结碳化硅(RBSiC)
