蔡道林
,
郑家贵
,
冯良桓
,
蔡伟
,
蔡亚平
,
张静全
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2004.05.008
用真空共蒸发法在室温下制备了ZnTe:Cu多晶薄膜.用XRD表征薄膜结构,刚沉积未掺Cu和适度掺Cu的薄膜为立方结构,高度(111)择优,重掺Cu的为立方和六方混合相.室温时薄膜的形貌和光能隙取决于掺Cu浓度和退火温度,并通过透射光谱的测量计算出光能隙.重掺Cu的薄膜具有反常电导温度关系.
关键词:
ZnTe:Cu薄膜
,
共蒸发法
,
反常电导温度关系
