段志伟
,
张振忠
,
沈晓冬
,
周建秋
材料保护
doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2007.07.014
采用化学镀方法在超声辐照下对50 nm的SiC进行了化学镀铜,并探讨了孕育期的存在机制以及施镀工艺对化学镀铜的影响.利用XRD、场发射扫描电镜、EDS对粉体镀覆前后成分进行了物相、形貌、成分分析.结果表明:孕育期的存在机理在于镀液中配位剂对活化后粉体表面胶体层的去除;采用双配位剂工艺,配位剂的协同效应能大大提高镀液中Cu2+的利用率,本试验中铜的利用率最低高达89.5%,从而减少了镀后废液的污染;在试验所取温度范围内,随着温度的提高,镀速逐渐升高;通过控制装载量可以实现不同含铜量的复合粉体的制备.
关键词:
化学镀铜
,
纳米SiC
,
双配位剂
,
孕育期
