林致远
,
马骏
,
林亮
,
杨成绍
,
邹志翔
,
黄寅虎
,
文锺源
,
王章涛
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163105.0460
本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下,通过增加不同的顶栅极设计方式(不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例)来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响.实验结果显示双栅极a-Si TFT比现行单底栅a-Si TFT可以提升Ion7％、降低SS 3％、同时对Ioff以及TFT稳定性影响不明显,显示双栅极a-Si TFT设计结构具有在不提高成本以及不变更工艺流程下,达到整体提升TFT特性的效果.顶栅极TFT特性不如底栅极,推测为a-Si/PVX界面不佳使得电子导通困难导致,未来可以借由改善a-Si/PVX界面工艺提升顶栅极TFT特性.
关键词:
高开口率高级超维场转换技术
,
非晶硅
,
薄膜电晶体
,
双栅极
