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高温相偏硼酸钡(α-BaB2O4)晶体的缺陷行为分析

李新军 , 邹宇琦 , 陈杏达 , 徐军 , 杨秋红 , 田玉莲 , 黄万霞

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.02.009

运用同步辐射X射线白光形貌研究了α-BaB2O4晶体内部的完整性,并分析了α-BaB2O4晶体的缺陷行为及缺陷形成原因.在(001)面发现生长扇界和亚晶界,而在(100)面和(120)面分别观察到了位错、位错簇以及针状包裹体.使用双晶衍射实验发现在(001)面有生长条纹,这些生长条纹呈环形,该条纹与熔体中温度波动而导致的生长速率波动有关.运用白光形貌拍摄到高清晰的劳埃斑,表明晶体为三方结构.

关键词: α-BaB2O4晶体 , 同步辐射白光X射线形貌术 , 双晶衍射 , 缺陷

300 mm双面磨削硅片损伤层厚度检测

陈海滨 , 周旗钢 , 万关良 , 肖清华

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.z1.013

测量300 mm双面磨削硅片损伤层厚度,不仅可以为优化双面磨削工艺提供科学依据,并最终可以减少双面磨削损伤层厚度,而且可以有助于减少抛光时间,改善抛光硅片的几何参数.本文应用恒定腐蚀法和双晶衍射法测量了300 mm硅片双面磨削工艺后的损伤层厚度,对恒定腐蚀法进行了较深入的研究,并结合恒定腐蚀法的结果对硅片进行双晶衍射.得出以下结论:杨氏腐蚀液因为对缺陷具有良好的择优性能,可以用以损伤层厚度检测.而硝酸腐蚀液因为对缺陷不具有良好的择优性能,因而不能用以损伤层厚度检测;恒定腐蚀法可以粗略测定磨削硅片损伤层厚度,而双晶衍射法可以精确测定磨削硅片损伤层厚度;根据恒定腐蚀法的测试结果来进行双晶衍射,可以减少测试样品的数量,节省试验经费;300 mm直拉P型<100>硅片经2000#砂轮双面磨削后的损伤层厚度为12.5μm.

关键词: 损伤 , 恒定腐蚀 , 双晶衍射 , 300 mm硅片

多层GaAlInP半导体发光材料的双晶衍射分析与拟合

王浩 , 廖常俊 , 范广涵 , 刘颂豪 , 郑树文 , 李述体 , 郭志友 , 孙慧卿 , 陈贵楚 , 陈炼辉 , 吴文光 , 李华兵

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.021

应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析.应用双晶衍射的动力学理论模拟此样品的摇摆曲线,并结合界面的融合、晶格崎变与缺陷的散射来解释测试结果.对衍射谱的展宽提供了合理的解释,比较肯定地确定了此样品的结构与晶体质量.涉及缺陷对衍射FWHM的展宽的解释与关于缺陷的半动力学衍射理论相比,简单明了,实用于实际的生产检测.并根据分析结论对晶体质量的改进提供技术方案,改进了晶体质量.

关键词: MOCVD , 双晶衍射 , GaAlInP , 拟合

自组织InAs/GaAs量子点的X射线双晶衍射研究

刘艳美 , 赵宗彦 , 杨坤堂 , 徐章程 , 韩家骅

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.06.022

用X射线双晶衍射方法测定了自组织生长的InAs/GaAs量子点的摇摆曲线,根据Takagi-Taupin方程对曲线进行了拟合.在考虑量子点层晶格失配的情况下,理论曲线和实验曲线符合得很好,从而确定了量子点垂直样品表面的失配度,约为4~6%,这与宏观连续体弹性理论的预测相近.结合电镜、原子力显微镜的观察结果表明对子单层沉积方法获得的量子点层采用化合物构层进行拟合所得结果是合理的.

关键词: 量子点 , 自组织生长 , 双晶衍射 , 摇摆曲线

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