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碲铟汞(111)晶面腐蚀坑的研究

罗林 , 介万奇 , 孙叶 , 王涛 , 傅莉

功能材料

通过扫描电镜、扫描探针显微镜和电子背散射衍射仪对改进的Chen法腐蚀液在Hg3In2Te6(111)晶片上形成的腐蚀坑进行了研究.实验发现,腐蚀坑形貌主要有线形、梭形、枣形3种,且后两者的沟槽在(111)面的投影只有3种取向,并互成120°夹角.进一步分析的结果表明,上述蚀坑的形成可由螺位错双交滑移的模型加以解释.

关键词: 碲铟汞 , 腐蚀坑 , 位错 , 电子背散射衍射 , 双交滑移