唐立丹
,
梅海林
,
冯嘉恒
,
王冰
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.18.021
采用原子层沉积技术与改进的Al掺杂模式在石英玻璃基体上低温制备AZO 薄膜,利用椭圆偏振仪、原子力显微镜、X 射线衍射仪、X 射线光电子能谱仪、Hall效应测试仪系统地对样品的生长速率、表面形貌、晶体结构、薄膜成分与电学性能进行了表征和分析.结果表明,采用原子层沉积在150℃下制备 AZO薄膜,其为六方纤锌矿结构,Al 掺杂对 ZnO 的(002)有明显的抑制作用,Al 在基体中弥散分布,其部分替换ZnO 晶格中的Zn,以Al—O 的形式存在于晶体中,晶体中存在大量的氧空位,最佳铝锌循环比为1∶19,此条件下AZO 薄膜电阻率为4．61×10－4Ω·cm.
关键词:
Al 掺杂 ZnO
,
原子层沉积
,
低温生长
,
晶态薄膜
廖荣
,
张海燕
,
谢佳亮
,
杨铁铮
,
罗文中
,
胡伟
材料导报
用原子层沉积法在钠钙玻璃上沉积氧化锌薄膜,利用场发射扫描电镜和X射线衍射(XRD)等对样品表面形貌和物相进行分析,结果表明得到的ZnO纳米颗粒为六角纤锌矿结构,颗粒的尺寸在30～60 nm之间；测得的ZnO薄膜厚度仅50 nm,符合缓冲层要求；薄膜在可见光区域透射率达90％以上；使用原子层沉积氧化锌薄膜作铜铟镓硒太阳能电池的缓冲层,TEM显示氧化锌层完好、致密地覆盖在CIGS层上,电池的光电转换效率较高,完全可以替代有毒的CdS作缓冲层.
关键词:
原子层沉积
,
氧化锌薄膜
,
铜铟镓硒太阳能电池
,
缓冲层
李惠琴
,
陈晓勇
,
王成
,
穆继亮
,
许卓
,
杨杰
,
丑修建
,
薛晨阳
,
刘俊
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.02.012
原子层沉积( ALD)是一种新型的精确表层薄膜制备技术，具有沉积面积大、薄膜均匀、膜厚纳米级可控生长、低温性等特点，适用于纳米多孔和高深宽比基底材料，可应用于三维微纳结构器件的功能薄膜材料制备，广受国内外学术界和工业界的关注。综述了ALD技术发展历史和技术原理，介绍了ALD技术在微纳器件中的应用进展，涉及半导体微纳集成电路、微纳光学器件、微纳米生物医药等高新技术领域，对ALD技术当前存在的问题进行了分析，并展望了未来发展方向。
关键词:
原子层沉积
,
薄膜技术
,
高深宽比结构
,
纳米多孔结构
,
微纳结构器件
刘恒
,
熊玉卿
,
王济洲
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2012.03.014
研究分析了采用原子层沉积技术在大长径比管道内壁镀制铝膜的可行性.首先,建立了管道内壁气体吸附动力学方程,通过分离变量法解吸附动力学方程,计算出反应前驱体在管道内壁达到饱和化学吸附的时间；其次,根据铝晶胞的面心立方结构,计算出每层原子层沉积周期所镀制的铝膜厚度；最后,理论计算能实现正常波导的管道内壁所需要的铝膜最小厚度,得出原子层沉积所要循环的周期数.
关键词:
原子层沉积
,
管道内壁
,
波导
,
铝
聂祥龙
,
马大衍
,
徐可为
稀有金属材料与工程
采用原子层沉积(ALD)的方法,选择四二乙基氨基铪(TDEAH)和水作为反应前驱体,在p型(100)单晶硅衬底上制备了HfO2高介电质薄膜.系统研究了前驱体流量、反应气压、反应温度等工艺参数对HfO2薄膜生长质量的影响.通过工艺调控,发现存在两种薄膜生长模式:类CVD(化学气相沉积)生长模式和ALD生长模式.发现薄膜的生长模式主要依赖于制各工艺参量:脉冲参量M和冲洗参量Q,通过优化工艺参数,可实现薄膜生长由类CVD生长模式向ALD生长模式的转变,并获得了0.1 nm/周次的最优薄膜生长速率.同时,薄膜微结构与表面形貌的表征结果表明:薄膜的非晶晶态转变受温度和膜厚两个因素共同控制.
关键词:
高介电质薄膜
,
HfO2
,
原子层沉积
,
生长行为
李想
,
颜钟惠
,
刘阳辉
,
竺立强
材料导报
以三甲基铝(TMA)和水为反应源,采用原子层沉积(ALD)技术在n型单晶硅表面沉积15 nm、30 nm和100 nm的Al2O3薄膜,并对样品进行快速退火(RTA)处理.采用少子寿命测试仪测试样品的有效少子寿命,获得了表面复合速率(SRV),通过X射线光电子能谱(XPS)分析了薄膜的化学成分,在此基础上研究了薄膜厚度及退火条件对钝化效果的影响,并分析了钝化机理.结果表明:ALD技术制备的Al2O3薄膜经退火后可使n型单晶硅SRV值降低到7 cm/s,表面钝化效果显著.
关键词:
太阳能电池
,
晶体硅钝化
,
原子层沉积
,
Al2O3薄膜
袁海
,
刘正堂
人工晶体学报
采用原子层沉积方法以臭氧为氧源,分别在Si和K-9玻璃衬底沉积Sn掺杂ZnO薄膜.系统研究了Sn掺杂浓度对ZnO薄膜成分、晶体结构及光电性能的影响.XRD分析表明:所制备SnZO薄膜具有垂直于衬底表面的c轴择优取向.XPS分析表明:在ZnO中掺杂离子以Sn4+形式存在.Hall分析表明Sn是一种有效的施主掺杂元素,其通过置换Zn2+位置释放导电电子.当Sn掺杂浓度为1.8at％时,Hall测试表明ZnO薄膜具有最低电阻率为9.5×10-4Ω·cm,载流子浓度达到最高值为3.2×1020 cm-3,进一步增加Sn浓度使得ZnO薄膜电学性能变差.SnZO薄膜在可见光区域的光透过率超过85％,光学带隙值由未掺杂ZnO的3.26 eV增加到5.7at％ Sn掺杂时3.54 eV.
关键词:
Sn掺杂ZnO
,
原子层沉积
,
晶体结构
,
光电性能
卢维尔
,
董亚斌
,
李超波
,
夏洋
,
李楠
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13449
原子层沉积生长技术(ALD)是以表面自限制化学反应为机制的薄膜沉积技术,可以一层一层地生长薄膜.该技术具有生长温度低、沉积厚度精确可控、保形性好和均匀性高等优点,逐渐成为制备薄膜材料最具发展潜力的薄膜生长技术.作为ALD技术中一个关键的指标——生长速率,不仅对沉积所得薄膜的晶体质量、致密度起重要作用,更重要的是影响集成电路的生产效率.本文综述了近年来ALD生长机制和生长速率方面的研究结果,以及ALD技术生长速率的影响因素,并分析探讨了提高和改善ALD生长速率的方法以及研究趋势.
关键词:
原子层沉积
,
生长速率
,
生长机制
,
位阻效应
杨超
,
李莹
,
闫璐
,
曹韫真
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150594
通过原子层沉积(ALD)工艺在硅基底依次沉积氧化铝缓冲层薄膜和氧化铁催化薄膜,然后利用管式炉进行水辅助化学气相沉积(WACVD)生长垂直碳纳米管阵列(VACNTs)。结果表明： ALD工艺制备的氧化铁薄膜经还原气氛热处理可形成碳纳米管阵列生长所需的纳米催化颗粒；氧化铁薄膜厚度与纳米催化颗粒大小以及生长出的碳纳米管阵列的结构密切相关。当氧化铁薄膜厚度为1.2 nm时,生长出的碳纳米管阵列管外径约为10 nm,管壁层数约为5层,阵列高度约为400?m。增大氧化铁薄膜的厚度,生长出的碳纳米管阵列外径和管壁数增加,阵列高度降低。实验还在硅基底侧面观察到了VACNTs,表明ALD工艺可在三维结构上制备催化薄膜用于生长VACNTs。
关键词:
原子层沉积
,
氧化铁
,
水辅助化学气相沉积
,
垂直碳纳米管阵列
,
结构可控
,
三维样品
周忠伟
,
李民
,
徐苗
,
邹建华
,
王磊
,
彭俊彪
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163106.0532
原子层沉积(ALD)方法可以制备出高质量薄膜，被认为是可应用于柔性有机电致发光器件(OLED)最有发展前景的薄膜封装技术之一.本文采用原子层沉积(ALD)技术，在低温(80℃)下，研究了 Al2 O3及TiO2薄膜的生长规律，通过钙膜水汽透过率(WVTR)、薄膜接触角测试等手段，研究了不同堆叠结构的多层 Al2 O3/TiO2复合封装薄膜的水汽阻隔特性，其中5 nm/5 nm×8 dyads(重复堆叠次数)的Al2 O3/TiO2叠层结构薄膜的WVTR达到2．1×10-5 g/m2/day.采用优化后的 Al2 O3/TiO2叠层结构薄膜对 OLED器件进行封装，实验发现封装后的 OLED 器件在高温高湿条件下展现了较好的寿命特性.
关键词:
有机电致发光器件
,
薄膜封装
,
原子层沉积
,
水汽透过率
