侯杰
,
杨君友
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朱文
,
郜鲜辉
材料导报
电化学原子层外延(ECALE)是电化学沉积和原子层外延技术的结合,通过运用欠电势技术交替电化学沉积化合物的组成元素一次一个原子层而实现外延生长.详细介绍了电化学原子层外延(ECALE)的基本原理和特点,分析了影响ECALE过程的关键要素,并进一步介绍了它在新材料制备中的应用研究进展.
关键词:
纳米超晶格
,
ECALE
,
欠电位沉积
,
原子层外延
何晓崐
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左然
,
徐楠
,
于海群
材料导报
介绍了用于外延生长Ⅲ-V族化合物薄膜的原子层外延(ALE)的国内外进展.以GaAs为例,讨论了ALE生长Ⅲ-V族化合物的表面反应机理.GaAs的ALE表面反应机理主要有两种:一种是吸附质阻挡机理,即Ga-(CH3)3在表面发生热解,最终Ga(CH3)x(x=1或2)在表面吸附,依靠Ga(CH3)x中CH3的空间位阻效应,表面反应自动停止;另一种是选择性吸附机理,即Ga(CH3)3在表面热解后形成的吸附物质是Ga原子,当表面完全覆盖一层Ga原子,即表面Ga原子饱和,表面反应自动停止.还介绍了ALE生长中的气相反应以及H原子对ALE生长过程的影响.
关键词:
原子层外延
,
GaAs
,
表面化学反应
王浩
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廖常俊
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范广涵
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刘颂豪
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郑树文
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李述体
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郭志友
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孙慧卿
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陈贵楚
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陈炼辉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.012
应用原子层外延与分子层外延的理论研究了Turbo-Disk MOCVD外延生长过程,发现生长主要发生在衬底表面的台阶处,当通过控制生长参数达到优质外延时,实际上是一种亚原子外延过程,优化调整反应参数实现了优质外延.
关键词:
原子层外延
,
MOCVD
,
亚原子外延
