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原位沉淀-焙烧法制备NiO/P-CNT复合材料及其电容性质

樊剑章 , 崔青霞 , 石伟 , 周佳盼 , 米红宇

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.19.025

以聚吡咯衍生的碳纳米管作为载体,通过原位沉淀-焙烧相结合,合成了新型的氧化镍/聚吡咯衍生碳纳米管(NiO/P-CNT)复合材料。采用粉末 X 射线衍射、热重、能谱、扫描电镜、透射电镜、循环伏安以及恒流充放电测试对样品进行表征和分析。结果表明,须状NiO 均匀地负载在聚吡咯衍生的碳管表面,构成了具有三维网络结构的复合物。基于这种特殊结构的优势,该复合物在电流密度为2A/g 下的比电容为382F/g,NiO 在复合物中电容贡献为441F/g,而NiO 的比电容为351F/g。经过400圈充放电后,复合物的比电容保持在90%以上,而NiO 的容量保持率为82.6%。因此,该复合电极材料较 NiO 具有更高的比电容和更好的循环特性。

关键词: 原位沉淀-焙烧法 , 聚吡咯衍生的碳纳米管 , 复合材料 , 比电容