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新型压电晶体Sr3 Ga2 Ge4 O14的性能表征

武安华 , 周娟 , 徐家跃

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.007

采用坩埚下降法以及坩埚密封技术,成功生长了直径50mm的新型压电晶体Sr3Ga2Ge4O14.测试了晶体的晶格常数、热膨胀系数、密度、硬度和透过光谱等基本物理性能.测试结果表明:晶体热膨胀系数明显小于石英晶体,而且α11和α33相对比较接近,有利于该晶体用作声表面波用基片材料.在250~2500nm波段范围内,其透过率均大于80%,优于相同结构的La3Ga5SiO14晶体,是一种潜在的激光基质晶体材料.

关键词: Sr3Ga2Ge4O14 , 压电晶体 , 热膨胀系数 , 透过光谱

四英寸四硼酸锂压电晶体的生长研究

徐家跃 , 范世ji , 华王祥

无机材料学报

以直径3英寸Li2B4O7晶体为籽晶,采用改进型坩埚下降法在Pt坩埚中生长了直径105mm、长度120mm、无宏观缺陷的高质量Li2B4O7,晶体.生长速率<0.3mm/h,固液界面附近的温度梯度约为30℃/cm.探讨了开裂、孪晶、包裹体等缺陷的形成和消除办法,测试了该晶体的性能.介电常数ε11=9.33,压电系数d33=0.94C/m2,机电偶合系数k33=0.42.高机电偶合系数和低介电常数表明该晶体在高频声表面波器件应用方面具有很大的潜力.

关键词: 压电晶体 , lithium tetraborate , Bridgman technique , crystal growth

四英寸四硼酸锂压电晶体的生长研究

徐家跃 , 范世马岂 , 华王祥

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.04.036

以直径3英寸Li2B4O7晶体为籽晶,采用改进型坩埚下降法在Pt坩埚中生长了直径105mm、长度120mm、无宏观缺陷的高质量Li2B4O7晶体.生长速率<0.3mm/h,固液界面附近的温度梯度约为30°C/cm.探讨了开裂、孪晶、包裹体等缺陷的形成和消除办法,测试了该晶体的性能.介电常数ε11=9.33,压电系数d33=0.94C/m2,机电偶合系数к33=0.42.高机电偶合系数和低介电常数表明该晶体在高频声表面波器件应用方面具有很大的潜力.

关键词: 压电晶体 , 四硼酸锂 , 坩埚下降法 , 晶体生长

沿c轴极化PZN-12%PT单晶中声表面波传播特性

李秀明 , 吴广涛 , 徐权 , 张锐

人工晶体学报

利用室温下弛豫铁电单晶0.88Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.12PbTiO3(PZN-12% PT)的材料参数,计算了[001]c极化PZN-12% PT晶体中的声表面波传播特性.结果表明,PZN-12% PT单晶具有优于传统压电材料的声表面波特性,但略逊色于三方相PZN-PT晶体.不同切型PZN-12% PT单晶的声表面波特性不同.综合考虑晶体的三种声表面波特性,发现Y切型晶体的综合声表面波性能最好.PZN-12% PT单晶较高的居里温度可以扩展压电器件的工作温度范围.

关键词: 压电晶体 , 声表面波 , 机电性能

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