陈显明
,
黄勇
材料科学与工程学报
本文研究了MnO加入量对SrTiO3压敏电阻器组织性能的影响.通过金相显微组织的观察,发习当MnO加入量达到0.1mol%时,压敏电阻晶粒尺寸比较大,且均匀致密.而对电性能的测试发现,压敏电压(E10E1)、非线性系数α,损耗tgδ也是在MnO加入量达到0.1mol%时处于最低值,此时E<,10>为5.09V,E1为3.42V,α为5.79,tgδ为0.38.电容量C却在此时取最大值.为105.21nf.同时还研究了压敏电阻器的焊接变化率,发现△E10、△α都比较小,由此可见,焊接前后的性能比较稳定.
关键词:
SrTiO3
,
压敏电阻
,
组织性能
,
MnO
,
陶瓷
王茂华
,
胡克鳌
,
张南法
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2004.06.018
研究了压敏电阻器在环氧树脂灌封后的电性能变化.由于灌封材料渗入了压敏电阻的边沿,漏电流持续上升,不能趋于稳定,引起了性能的劣化,压敏电阻的侧面灌封材料有电流通过.经交流老化试验后,压敏电阻的性能进一步劣化,通过选择与压敏电阻匹配的灌封材料,或先用绝缘釉对压敏电阻进行侧面处理,可避免由于灌封材料引起的性能劣化现象.
关键词:
压敏电阻
,
灌封
,
绝缘
,
电性能
臧国忠
,
王矜奉
,
陈洪存
,
苏文斌
,
王文新
,
亓鹏
,
王春明
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.018
研究了Cr对(Co,Ta)掺杂的SnO2压敏材料电学性质的影响.当Cr2O3的含量从0增加到0.15mol%时,(Co,Ta)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从206V/mm增加到493V/mm;1kHz时的相对介电常数从1968猛降至498;晶界势垒高度分析表明,SnO2晶粒尺寸的迅速减小是样品击穿电压增高、相对介电常数急剧降低和电阻率迅速增大的主要原因.对Cr含量增加引起SnO2晶粒减小的原因进行了解释.掺杂0.15mol% Cr2O3的SnO2压敏电阻非线性系数为24,击穿电压达498V/mm,在高压保护领域有很好的应用前景.
关键词:
压敏电阻
,
二氧化锡
,
势垒高度
,
非线性系数
袁明军
,
崔文权
,
李苹
,
冯良荣
材料科学与工艺
为了更好地研制和应用压敏电阻元件,介绍了TiO2压敏电阻的基本性质,压敏机理以及研究现状,阐述了制备过程中掺杂物种、掺杂浓度、烧结温度、粉体材料等因素对二氧化钛压敏电阻性能的影响.研究表明,TiO2系列压敏电阻具有较低的压敏电压、较高的非线性系数、超高的介电常数,并且制备工艺简单.TiO2系列压敏电阻能有效弥补SrTiO3和ZnO系压敏电阻器所存在的不足之处,是低压压敏陶瓷的研发方向.
关键词:
二氧化钛
,
压敏电阻
,
掺杂
,
压敏性能
陈培荣
,
季幼章
,
冯士芬
功能材料
以金属铋为原料,溶解在硝酸中,配置成Bi(NO3)3溶液,用NH3-NH4HCO3作沉淀剂,调节pH值,制备Bi2O3粉料.通过控制反应温度、加料速度、反应时间以及加入适量的分散剂,制备得粒径为2～3μm、粒度分布均匀、分散性良好的超细球状Bi2O3粉料.用Bi2O3粉料制备的ZnO压敏电阻,具有压比低,方波冲击合格率高,性能一致等优点.
关键词:
压敏电阻
,
球状Bi2O3
,
粉料
,
沉淀法
何恺
,
吴文浩
,
陈步华
,
吴婕婷
,
徐传孟
,
徐东
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.18.014
通过溶胶-凝胶法制备了一种稀土 Ce 掺杂的ZnO-Bi2 O3压敏薄膜,对薄膜进行了XRD、AFM、介电与压敏性能的表征.结果表明,Ce 掺杂不会影响ZnO-Bi2 O3压敏薄膜的晶体结构,但是会减小 ZnO-Bi2 O3压敏薄膜的晶粒尺寸.Ce 掺杂会降低 ZnO-Bi2 O3压敏薄膜的漏电流,减小材料的介电损耗,提升ZnO-Bi2 O3压敏薄膜的非线性性能.当 Ce 掺杂量达到0．3％(摩尔分数)时,ZnO-Bi2 O3压敏薄膜的压敏电压达到了175 V/mm,漏电流降低至502μA.
关键词:
ZnO
,
稀土
,
显微组织
,
压敏电阻
,
电学性能
赵鸣
,
王卫民
,
刘向春
,
田长生
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.06.010
本文研究了V/Sb预合成粉、SbVO4和Sb2O3等三种不同形式的Sb掺杂对ZnO-V2O5基压敏陶瓷结构和性能的影响.化学计量比不变情况下,上述Sb掺杂方式的改变,使烧结过程中Sb3+离子在陶瓷样品中的浓度上升,促进Zn7Sb2O12型尖晶石相形成,材料晶粒随之细化.同时材料的压敏电压出现大幅上升,而非线性系数和漏电流密度受Sb掺杂形式的变化影响不大.Sb以V/Sb预合成粉进行掺杂可以获得较大尺寸的晶粒,有利于材料在低压方面的应用.
关键词:
Sb
,
掺杂
,
ZnO
,
压敏电阻
季振国
,
黄东
,
席俊华
,
柯伟青
,
周荣富
材料科学与工程学报
利用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了基于柱状ZnO薄膜的Al-ZnO-Al三明治结构的超低阈值电压的压敏电阻.XRD和SEM测试结果表明,该压敏电阻中的ZnO薄膜层为结晶性能良好,并且沿ZnO的(002)晶面择优取向生长的柱状薄膜.Ⅰ-Ⅴ测试结果表明,这种由柱状ZnO薄膜构成的压敏电阻阈值电压仅3.2 V,为现有压敏电阻中阈值电压最低的压敏电阻.
关键词:
氧化锌
,
柱状薄膜
,
压敏电阻
,
超低阈值
周东祥
,
章天金
,
龚树萍
功能材料
研究了一价碱金属离子掺杂对低压ZnO压敏陶瓷电学性能的影响规律,探讨了烧结温度、降温速率对其显微结构和电性能的影响,分析了添加剂预合成对ZnO压敏陶瓷场强的影响规律.实验发现:一价碱金属离子掺杂能有效地抑制漏流,增加非线性,但同时使压敏场强增加;提高烧结温度能有效地降低压敏场强,但过高的烧结温度将使漏流增加,非线性系数下降.通常,烧结温度以不超过1250℃为宜;添加剂预合成能降低ZnO压敏陶瓷的压敏场强,它为ZnO压敏陶瓷的低压化提供了一个新的途径与方法.
关键词:
氧化锌
,
压敏电阻
,
电性能
,
碱金属离子
,
显微结构
