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钇改性PZT薄膜的极化印刻研究

仇萍荪 , 罗维根 , 丁爱丽

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.05.024

铁电PZT薄膜的极化印刻(imprinting)是PZT不挥发存储器失效的重要原因之一.本文研究了不同钇量改性的PZT(40/60)铁电薄膜在高温(120℃)和偏置电压下的极化印刻特性,发现适量的钇掺杂,改善了PZT薄膜电容器单元的极化印刻.

关键词: 铁电薄膜 , Y-PZT薄膜 , 印刻(imprinting)