董国全
,
万群
,
陈坚邦
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.04.018
本文以卢瑟福离子背散射技术 (RBS) 检测了半绝缘GaAs (100) 化学机械抛光表面的微损伤状况,并以α台阶仪测量了抛光表面的粗糙度.研究了以胶体SiO2和NaOCl溶液的混合液对GaAs进行化学机械抛光方法中主要工艺条件对表面质量的影响.把RBS法同X射线双晶衍射法对表面损伤的测量结果进行了比较,二者对应得很好.通过逐层腐蚀与RBS相结合测定了抛光过程造成的损伤层的厚度,发现如果抛光条件不适宜,获得的晶片表面尽管目视光洁度很好,也还有一定厚度的损伤层. RBS法测得好的非掺半绝缘GaAs (100) (由LEC法生长) 抛光表面散射粒子最低产额低达3.1%,这样的晶片用腐蚀法未发现有损伤层.
关键词:
抛光
,
砷化镓晶片表面
,
表面损伤
,
卢瑟福背散射
张晋敏
,
谢泉
,
梁艳
,
曾武贤
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.03.014
用磁控溅射方法制备Fe/Si薄膜,采用卢瑟福背散射(RBS)技术研究了退火过程中的相变过程和氧化.结果表明:未退火的Fe/Si薄膜界面清晰,873K退火后,界面附近Fe、si原子开始相互扩散,973K退火后富金属相Fe1+xSi形成,而1073K退火后形成中间相FeSi,当温度增加至1273K后所有硅化物完全转变为富硅相FeSi2,即随退火温度的升高,Fe、Si原子间扩散增强,从而形成不同化学计量比的Fe-Si化合物,且薄膜中易迁移原子种类由Fe变为Si.同时,质子束RBS和XRD测量结果显示,在未退火及低温退火的样品中,薄膜有氧化现象,随退火温度增加,由于高温下金属氧化物被还原并逐渐挥发,样品中氧的含量逐渐减少最后完全消失.
关键词:
无机非金属材料
,
半导体材料
,
原子扩散
,
卢瑟福背散射
,
Fe-Si化合物
安竹
,
刘慢天
,
唐昶环
,
付玉川
,
彭秀峰
,
何福庆
,
罗正明
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2003.04.009
近年来, 研究组发展了一套利用厚衬底薄靶测量电子原子碰撞内壳层电离截面的方法. 该方法具有避免制作自支撑薄靶困难的优点. 最近, 又采取了一些措施来提高该方法测量数据的精度. 首先评述了近年来该领域的一些研究进展, 并通过测量Cr元素在小于26 keV能量范围K壳层电离截面的例子介绍了研究组的实验方法. 同时, 也对8种低Z元素和16种中﹑高Z元素在keV能区的实验数据和理论模型﹑经验公式进行了比较, 并对目前电子原子碰撞K壳层电离截面的实验测量和理论研究的现状及需进一步开展的工作进行了讨论.
关键词:
电子原子碰撞
,
K壳层电离截面
,
卢瑟福背散射
,
蒙特卡罗模拟
刘纯宝
,
王志光
,
魏孔芳
,
臧航
,
姚存峰
,
马艺准
,
盛彦斌
,
缑洁
,
金运范
,
A.Benyagoub
,
M.Toulemonde
原子核物理评论
在室温下用308 MeV的Xe离子和853 MeV的Pb离子辐照Ni/SiO_2样品,用卢瑟福背散射和X射线衍射技术对样品进行了分析.通过分析Ni/SiO_2样品中元素成分分布和结构随离子辐照剂量和电子能损的变化,探索了离子辐照在Ni/SiO_2样品中引起的界面原子混合与结构相变现象.实验结果显示,Xe和Pb离子辐照均能引起明显的Ni原子向SiO_2基体的扩散并导致界面附近Ni,Si和O原子的混合.实验观测到低剂量Xe离子辐照可产生NiSi_2相,而高剂量Xe离子辐照则导致了Ni_3Si和NiO相的形成.根据热峰模型,Ni原子的扩散和新相的形成可能由沿离子入射路径强电子激发引起的瞬间热峰过程驱动.
关键词:
快重离子辐照
,
界面原子混合与结构相变
,
卢瑟福背散射
,
X射线衍射
