郑明辉
,
肖玲
,
任洪涛
,
焦玉磊
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.074
在空气中生长同样可以得到具有很高的临界温度(Tc)值和电流密度(Jc)的块材,而且发现少量的钡位替代有助于产生峰值效应.由于GBCO的熔点与用做籽晶的NBCO非常接近,因此在这些工作中多是采用了热籽晶的方法,这给工艺中带来了极大的不便,也不利于批量化的制备.在实验中我们探索了在空气气氛中采用冷籽晶的方法进行单畴GdBaCuO块材熔融织构生长.通过调整Gd123相与Gd211相配比,改变初始的123粉末、211粉末及BaCuO2粉末的烧结温度,控制熔融织构的工艺条件,成功生长出了单畴直径18～25mm的单畴GdBaCuO块材.单畴样品的最大磁浮力密度达到了15 N/cm2,Jc(0T, 77K)达到2.3 × 104 A/cm2.
关键词:
GdBaCuO
,
熔融织构
,
单畴
,
空气气氛
程晓芳
,
杨万民
,
李国政
,
樊静
,
郭晓丹
,
朱维君
低温物理学报
本文采用顶部籽晶熔融织构法,研究了BaCuO_(2-δ)添加对单畴GdBCO超导块材性能的影响,实验结果表明,当制备GdBCO超导块材所用粉体的摩尔比为Gd123:Gd211:Gd011=1:0. 4:x(x= 0,0.1,0.2,0.3,0.4)时,均可制备出单畴GdBCO超导块材,对该系列超导块材磁悬浮力测试的结果表明,BaCuO_(2-δ)的含量对GdBCO超导体的磁悬浮力有明显影响,当BaCuO_(2-δ)的含量x=0.2mol%时样品的磁悬浮力最大,并结合其显微组织分析了BaC-uO_(2-δ)对单畴GdBaCuO磁悬浮力影响的原因.
关键词:
单畴
,
GdBaCuO超导体
,
熔融织构
,
磁悬浮力
王子生
,
胡秀坤
,
吴琼
,
徐美华
电镀与涂饰
采用溶胶-凝胶技术结合旋涂法,以聚乙烯醇作为鳌合剂,选择适当的退火程序,制备了由金属Ag相和Fe3O4相所组成的Agx(Fe3O4)1-x=0,0.1,0.2,0.3)复合薄膜.磁力显微镜观察表明,Fe3O4晶粒为单畴颗粒,其直径为75～85 nm,小于理论计算的单畴,临界尺寸.磁性测量表明:x=0.1和0.3薄膜的矫顽力坼分别为23.1 kA/m和28.6 kA/m,很接近于Fe3O4的磁晶各向异性场HK(27.1 KA/m).室温(300K)下,x=0.1的薄膜具有最大的磁电阻,700 kA/m磁场下为-3.5%,高于纯Fe3O4薄膜的低场磁电阻(-2.2%).随着Ag含量进一步增加,薄膜的室温磁电阻减小.适量金属Ag的掺入有利于提高Fe3O4薄膜的磁电阻,这归因于自旋极化电子在Fe3O4晶粒和Ag颗粒界面处的自旋相关散射以及穿过Fe3O4-Fe3P4晶界的自旋极化隧穿的共同作用.
关键词:
磁铁矿
,
掺银
,
非本征磁电阻效应
,
室温
,
单畴
,
溶胶-凝胶法
郑明辉
,
肖玲
,
任洪涛
,
焦玉磊
,
陈云霞
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z2.025
在空气气氛中采用冷籽晶熔融织构工艺进行了单畴GdBaCuO块材生长.通过调整Gd123相与Gd211相配比的方法控制GdBaCuO块材的成分.为抑制稀土元素对钡位的替代,添加了低熔点的BaCuO2.探索了采用熔融织构工艺在空气条件下生长单畴GdBaCuO块材的工艺条件,找到了适合单畴GdBaCuO在空气气氛下生长的工艺制度.已成功生长出直径25mm左右的单畴样品.探索了单畴GdBaCuO块材的氧处理制度,并对生长出来的单畴GdBaCuO块材进行了性能测试及微观结构观察.样品的零电阻温度达到了94K,不可逆场比钇钡铜氧要高出很多.磁浮力密度达到了12N/cm2.
关键词:
GdBaCuO
,
熔融织构
,
单畴
,
空气气氛
曹海涛
,
胡锐
,
寇宏超
,
马丽
,
马晓勇
,
高恩志
,
周廉
稀有金属材料与工程
采用定向凝固技术可获得高临界电流密度的YBCO样品.本文研究了YBCO试样在定向凝固过程的融化生长阶段所出现的停止生长现象,并分析了YBCO块材生长前沿的形态和化学成分.结果表明:当生长前沿液相中Y和Ba消耗殆尽而富Cu时,YBCO晶体的生长就会停止;为连续生长具有一定取向的YBCO样品或大块YBCO超导体,需要将融化生长过程中生长前沿的液相成分调整为富Y和Ba的成分.
关键词:
定向凝固
,
YBCO
,
超导
,
单畴
任洪涛
,
肖玲
,
焦玉磊
,
郑明辉
,
陈云霞
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.01.003
用顶部籽晶熔融织构生长法(TSMTG)批量制备了30mm直径的YBCO单畴超导块材.使用一种六面控温的箱式炉和一台改进的坩埚炉进行晶体生长.采用了高压氧化退火工艺对生长出的YBCO晶体进行后处理.与流动氧氧化工工艺相比,在保持样品超导性能不变的情况下高压氧化大大节约了用氧量,缩短了氧化退火时间,提高了生产效率.大多数单畴超导块在77K和0.5T的磁场下的磁悬浮力超过10N/cm2,其中最高值达到了15N/cm2.目前我们已具备了年生产1000块30mm直径优质单畴导块的能力.
关键词:
YBCO
,
超导体
,
熔融织构
,
单畴
,
批量化工艺
肖玲
,
任洪涛
,
焦玉磊
,
郑明辉
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z2.004
研究了YBCO单畴超导块的结晶形貌、取向、临界电流密度和磁悬浮力之间的关系.测量了不同直径超导块的磁浮力,大直径材料显示出更好的性能.对1200块30mm直径单畴超导块的性能进行了统计,80%以上样品的磁浮力密度超过10N/cm2,标志着批量化工艺已经建立.40～50mm直径单畴超导块也已能小批量的制备,最高性能达到16.8N/cm2.研究了超导块的俘获场特性.25mm直径的GdBaCuO单畴超导材料也被制备,Tc约94K,不可逆磁场超过4T.
关键词:
超导
,
REBaCuO
,
熔融织构
,
单畴
陈云霞
,
肖玲
,
任洪涛
,
焦玉磊
,
郑明辉
中国稀土学报
用顶部籽晶熔融织构法(TSMTG)制备了30 mm直径的YBCO超导块, 研究了不同的工艺条件对样品宏观形貌、织构取向和磁浮力的影响, 比较了3种样品在零场冷条件下的排斥力和场冷条件下的吸引力. 结果发现: 由籽晶控制取向生长的单畴YBCO样品宏观形貌是以顶部籽晶为中心的4个结晶扇区, 有单一的c轴取向, 零场冷条件下的排斥力和场冷条件下的吸引力最大; 籽晶成核但没有控制取向生长的YBCO样品宏观形貌是以顶部籽晶为中心的多个(大于4个)扇区, 相邻扇区间夹角不等, c轴取向不一致, 磁浮力性能居中; 非籽晶成核生长的多畴YBCO样品, 上表面是以籽晶为中心的一个边长约1 cm的四方结晶区, 其余部分是自发成核的多晶, 样品c轴取向杂乱, 磁浮力很低.
关键词:
超导材料
,
顶部籽晶熔融织构法
,
YBCO
,
单畴
,
磁浮力
,
稀土
姚丽双
,
彭增辉
,
刘永刚
,
宣丽
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132802.0162
将分子自组装单层膜技术应用于铁电液晶取向,结合传统摩擦技术制备了非对称取向的铁电液晶器件.采用在液晶相变过程中不施加电场的简易制备方法,获得了铁电液晶的均一排列.且对比实验表明,自组装膜末端基团极性越大,器件对比度越高.通过分子模拟和排列机理分析认为自组装膜极性端基的引入,基板附近处液晶分子偶极和自组装膜端基基团相互作用,导致自组装取向层和摩擦取向层表面处铁电液晶分子的偶极指向一致性,通过器件表面-内部液晶分子排列的诱导作用,从而实现了铁电液晶器件的单畴无缺陷排列.
关键词:
铁电液晶
,
自组装单层膜
,
非对称
,
单畴
肖玲
,
任洪涛
,
焦玉磊
,
郑明辉
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.076
顶部籽晶技术与熔融织构生长工艺的结合已经被证明是制备单一晶体取向的YBaCuO单畴超导体的成功方法.由于YBaCuO晶体的生长速度慢,使大尺寸单畴超导快的制备受到限制.采用多籽晶的方法可以减少生长大块材料的时间,但多籽晶诱导生长的大晶粒的边界通常是弱耦合的,材料的磁浮力和冻结磁场性能明显低于单籽晶生长的材料.本研究在采用多籽晶法制备YBCuO超导块时,通过在先驱物坯料的顶部增加成分梯度过渡层的方法成功地生长出单畴结构的超导材料.冻结磁通的分布为单峰状,证实材料为单畴结构,其磁浮力也达到单籽晶样品的水平.这些结果表明成分梯度层和多籽晶结合的工艺可以改善多籽晶生长样品的晶界耦合,是生长大尺寸单畴超导材料的一种可行方法.
关键词:
超导
,
YBCO
,
单畴
