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遗传算法在单电子器件I-V特性的半经典拟合中的应用

何红波 , 周继承 , 胡慧芳 , 李义兵

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.01.015

本文在单电子器件半经典的双隧道结模型的基础上,采用 遗传算法通过对主方程的数值求解,对Au纳米粒子组装体系的库仑台阶 现象进行了拟合。我们发现该算法的拟合结果效果很好。

关键词: 单电子器件 , 主方程 , 遗传算法

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