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栅控单片宽带可变增益放大器

彭龙新 , 林金庭 , 魏同立

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.05.032

报道了一种栅压控制的宽带GaAs单片可变增益放大器芯片.该芯片采用Ф76 m圆片0.5 μm PHEMT标准工艺制作而成.工作频率范围为2～8 GHz,栅压为零(或悬空)时,整个带内增益约14dB,输入输出驻波小于2.0,输出功率P1dB大于13dBm.通过改变栅压(可选),平坦增益可控范围13dB.该芯片体积为2.0 mm×1.8 mm×0.1 mm.

关键词: 单片集成电路 , 可变增益 , 赝配高电子迁移率晶体管