吴文娟
,
张松
,
韩培育
,
覃榆森
,
季静佳
,
顾晓峰
,
李果华
人工晶体学报
太阳电池单晶Si片表面制绒已是一项成熟的工艺,但普遍制绒时间较长.为提高制绒效率,本课题研究了较短时间内NaOH/ 异丙醇(IPA)体系制绒时的温度、时间、溶液组分对绒面的影响,以及制绒前去损伤的优劣.最终实现了,在含2.5%NaOH(质量百分比,下同)和10%IPA的溶液中,80℃恒温处理15 min即可制备出比较均匀的绒面.溶液中加入3%Na2SiO3,效果更佳,反射率最低可达9.5%.并发现去损伤后制绒效果并不理想,同时还研究了表面活性剂1,4-环己二醇(CHX)和十二烷基苯磺酸钠(SDBS)代替异丙醇制绒.研究发现,异内醇仍然是性价比较好的添加剂.
关键词:
各向异性腐蚀
,
太阳电池
,
制绒
,
单晶Si
王卓
,
刘昌龙
硅酸盐通报
H和He离子联合注入单晶Si可以促使其表面产生发泡、剥落和层离等表面损伤,由此引发了一种有效地制备SOI材料的新方法,即智能剥离技术.文章简述了H和He离子注入单晶Si在随后的热处理过程中引起表面损伤的机理,探讨了注入条件变化对表面损伤的影响,提出了该领域存在的关键问题并介绍了智能剥离技术在现代半导体技术中潜在的应用前景.
关键词:
H和He离子联合注入
,
表面损伤
,
智能剥离
,
单晶Si
刘昌龙
,
尹立军
,
吕依颖
,
阮永丰
,
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.031
40、160和1550 keV能量的He离子在室温下注入单晶Si样品到相同的剂量5×1016 ions/cm2,采用透射电子显微镜(TEM)研究了800℃退火1h在Si中引起的损伤形貌.结果表明,三种能量的He离子注入Si并经高温退火均能产生空腔,但空腔的形貌、尺寸以及分布深度都依赖于离子的能量.结合TRIM程序计算结果对空腔和其它缺陷产生对He离子能量的依赖性进行了讨论.
关键词:
单晶Si
,
He离子注入
,
高温退火
,
He空腔
,
透射电子显微镜
李炳生
,
张崇宏
,
杨义涛
,
周丽宏
原子核物理评论
沿Si的(100)面注入He离子, 能量为30 keV、剂量为5×1016 ions/cm2. 注入后样品切成几块, 在真空炉中分别做退火处理, 退火温度从600 ℃到1 000 ℃, 退火时间均为30 min. 利用原子力显微镜研究了各个样品表面形貌的演化. 发现样品表面形貌与退火温度相关联. 假设在气泡中He原子与空位的比值很高, 导致样品内部存在高压的He泡, 从而使样品表面形貌发生变化. 探讨了在Si中He泡随退火温度的演化和He原子在材料中的释放机制及其对表面的影响.
关键词:
单晶Si
,
离子注入
,
He泡
,
原子力显微镜
,
表面形貌
张蓓
,
张鹏
,
王军
,
朱飞
,
曹兴忠
,
王宝义
,
刘昌龙
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.30.04.471
室温下将130 keV，5×1014 cm-2 B离子和55 keV，1×1016 cm-2 H离子单独或顺次注入到单晶Si中，采用横截面试样透射电子显微镜(XTEM)和慢正电子湮没技术(SPAT)研究了离子注入引起的微观缺陷的产生及其热演变。XTEM观测结果显示，B和H离子顺次注入到单晶Si可有效减少(111)取向的H板层缺陷，并促进了(100)取向的H板层缺陷的择优生长。SPAT观测结果显示，在顺次注入的样品中，B离子平均射程处保留了大量的空位型缺陷。以上结果表明，B离子本身及B离子注入所产生的空位型缺陷对板层缺陷的生长起到了促进作用。
关键词:
单晶Si
,
B和H离子注入
,
H板层缺陷
,
XTEM
,
SPAT
王卓
,
田光
,
石少波
硅酸盐通报
室温下将40 keV的H离子以不同剂量注入到单晶Si样品中,部分H预注入的样品又进行了190 keV O离子注入.采用光学显微镜和透射电子显微镜分析比较了注入及退火后单晶Si样品的表面损伤以及注入层微观缺陷的形貌.光学显微镜结果表明,只有高剂量H离子注入的单晶Si经过450℃退火后出现了表面发泡和剥离,而总剂量相同的H、O离子顺次注入单晶Si的样品没有出现任何表面损伤.透射电子显微镜结果表明,低剂量H离子注入单晶Si经过高温退火可以在样品内部形成一个由空腔构成的损伤带.附加O离子注入对损伤形貌产生了重要影响,空腔消失,损伤带由大量板状缺陷构成.
关键词:
H离子注入
,
空腔
,
单晶Si
麻磊
,
李淑娟
,
李浩
,
王嘉宾
人工晶体学报
采用Box-Behnken Design (BBD)设计实验,研究高速线锯切割过程中线锯速度、进给速度和工件转速三个工艺参数对单晶Si切割力的影响,通过曲面响应法(Response surface methodology,RSM)建立单晶Si片切割力的响应模型,并进行方差分析,获得了高速线锯切割单晶Si过程中不同工艺参数对切割力的影响规律和切割力最小时的工艺参数.试验结果表明该模型能实现单晶Si切割过程的切割力预测.
关键词:
曲面响应法
,
单晶Si
,
切割力
