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化学机械抛光作用与单晶基片超光滑表面的获取

徐晓冬

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.033

单晶基片的表面光洁度指标是影响后续薄膜生长质量的重要因素.本文通过对比实验的方法,就采用CMP(chemical mechanical polish)工艺获取超光滑单晶基片做了深入的观察研究,并通过AFM(atomicforce microscope)的最终检测结果给出具有说服力的结论.

关键词: 单晶基片 , 化学机械抛光 , 超光滑表面