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退火工艺对可控硅辐照效应的影响

陈祖良 , 李兆龙 , 王华明 , 岳巍 , 章月红 , 谢裕颖

人工晶体学报

应用1.4 MeV电子束对单向可控硅晶圆芯片进行固定注量率辐照，通过触发电流和少子寿命表征辐照效应，研究了退火工艺对辐照效应的影响。结果表明：电子辐照缩短单向可控硅少子寿命，增大触发电流。经350℃退火后触发电流恢复到辐照前水平，少子寿命虽有一定恢复，但远比辐照前短。在试验的注量范围内k系数为常数，...

关键词: 单向可控硅 , 电子辐照 , 触发电流 , 少子寿命 , 退火工艺