于雪莲
,
安晓强
硅酸盐通报
通过生物分子模板法制备了不同形貌的硫化铅纳米材料,对比实验发现半胱氨酸的添加量及铅-半胱氨酸前驱体的形貌对最终产物的生成有很大影响.通过控制半胱氨酸的加入量,制备了树枝状、分级结构及多臂硫化铅纳米材料,这些形貌的成功制备将对功能性纳米器件的组装有重要意义.所采用的生物分子模板法具有简单、环境友好等优势,有利于其它半导体纳米材料的大规模制备.
关键词:
晶体生长
,
纳米材料
,
硫化铅
,
仿生法
,
半胱氨酸
张大全
,
冯晶晶
,
高立新
中国腐蚀与防护学报
doi:10.3969/j.issn.1005-4537.2008.04.010
考察了半胱氨酸自组装膜Cu电极在0.5 mol/L HCl溶液中的电化学行为,结果表明半胱氨酸自组装膜导致cu电极的自腐蚀电位负移,能够在一定程度上抑制Cu电极的阴极电化学过程.在此基础上,通过静电沉积技术.将十二酸接枝到Cu表面半胱氨酸分子上.结果显示,十二酸修饰的半胱氨酸自组装膜对Cu电极的阴极电化学过程抑制作用进一步增强,提高了对Cu的保护.
关键词:
半胱氨酸
,
自组装双层膜
,
十二酸交流阻抗
,
电化学极化曲线
吴伟明
,
路民旭
,
程明焱
,
杜海燕
,
许立宁
腐蚀与防护
通过自腐蚀电位、极化曲线和阻抗谱等电化学测试方法,研究了半胱氨酸、蛋氨酸两种氨基酸作为缓蚀剂在0.5 mol/L硫酸介质中对X65钢的缓蚀性能.研究结果表明:该缓蚀剂在较低的浓度具有良好的缓蚀效果,缓蚀效率随着浓度的增加而提高;同浓度比较,半胱氨酸的缓蚀效率更高.缓蚀原因可能是氨基酸分子或腐蚀产物在金属表面的吸附作用;极化曲线表明是混合型缓蚀剂.
关键词:
缓蚀剂
,
半胱氨酸
,
蛋氨酸
,
硫酸
,
电化学阻抗谱
刘慧敏
,
盛国军
,
李德良
,
黄世玉
,
刘慎
,
杨焰
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.07.002
目的：合成一种新型水溶性亚金配合物,并分析其应用于无氰镀金的可行性。方法以氯金酸为金液、半胱氨酸为配体,在弱碱性条件下合成半胱氨酸亚金钠,通过元素分析仪、红外光谱仪、紫外可见光谱仪、热重分析仪、电导率仪研究其理化性质。以温度、pH值和金质量浓度为变量,通过单因素试验分析它们对镀金的影响,通过正交试验获得适宜的镀金工艺条件。结果该产物的分子式为NaAu(Cys)2。该配合物的结构中,半胱氨酸里巯基和亚金进行配位并形成了很强的配位键,该配合物的特征吸收波长范围在205~210 nm。差热曲线和电导率值测定结果显示,该配合物在170℃以前的热稳定性较好,是典型的离子化合物。最佳的镀金工艺参数为：pH=2,金质量浓度2 g/L,温度45℃。在该条件下,镀层的结合力好,镀速可控,镀金效果良好。结论合成了新型水溶性亚金配合物,其理化性质稳定,有望用于无氰镀金工业领域。
关键词:
亚金配合物
,
半胱氨酸
,
合成
,
理化性质
,
化镍金
黄征
,
张红医
分析化学
doi:10.11895/j.issn.0253-3820.151021
建立了柱前衍生-酸诱导瞬时等速堆积柱上富集毛细管电泳测定巯基化合物的方法。在Tris-HCl缓冲溶液(pH=8.15)中,巯基化合物与2-氯-1-甲基碘化吡啶在室温条件下反应10 min;随后,将反应混合物引入到充满40 mmol/L甲酸盐背景电解质溶液(pH=3.96)的毛细管柱内;最后,向毛细管柱中引入适量稀H2SO4溶液。当在毛细管柱两端施加正向电压时,衍生的巯基化合物就会经瞬时等速堆积电泳过程而发生富集,其中前导和尾随离子分别为H+和Tris+。以半胱氨酸和巯基乙酸为分析对象,检测波长设为312 nm,优化了酸诱导瞬时等速堆积柱上富集的各种实验条件。在最佳条件下,半胱氨酸和巯基乙酸的线性范围分别为10~100 mg/L和4~100 mg/L,检出限分别为0.2和0.4 mg/L。本方法用于脱毛膏中巯基乙酸的测定,结果令人满意。
关键词:
巯基化合物
,
半胱氨酸
,
巯基乙酸钠
,
柱前衍生
,
柱上富集
,
毛细管电泳
马非
,
董明慧
,
张竹霞
,
贾虎生
,
许并社
材料导报
使用密度泛函理论研究了本征石墨烯和经过金原子修饰的石墨烯吸附半胱氨酸的构型和电子性质.对比本征石墨烯,修饰金原子后的石墨烯与半胱氨酸之间有较强的结合能力和较短的连接距离,发生的是化学吸附.态密度的计算结果也显示半胱氨酸与金修饰后的石墨烯轨道之间存在显著的杂化现象,而本征石墨烯轨道杂化现象不明显.本征石墨烯与半胱氨酸发生的是物理吸附.预测相比于本征石墨烯,金修饰后的石墨烯是一种潜在的、更高灵敏度的半胱氨酸检测材料.
关键词:
第一性原理
,
石墨烯
,
态密度
,
半胱氨酸
张大全
,
冯晶晶
,
高立新
中国腐蚀与防护学报
考察了半胱氨酸自组装膜Cu电极在0.5 mol/L HCl溶液中的电化学行为,结果表明半胱氨酸自组装膜导致Cu电极的自腐蚀电位负移,能够在一定程度上抑制Cu电极的阴极电化学过程｡在此基础上,通过静电沉积技术,将十二酸接枝到Cu表面半胱氨酸分子上｡结果显示,十二酸修饰的半胱氨酸自组装膜对Cu电极的阴极电化学过程抑制作用进一步增强,提高了对Cu的保护｡
关键词:
半胱氨酸
,
null
,
null
,
null
芮玉兰
,
田慧娟
,
曹毅
,
刘翠霞
腐蚀与防护
合成了三种半胱氨酸衍生物，运用红外光谱对其结构进行了表征。采用失重法极化曲线法和电化学阻抗法研究了三种半胱氨酸衍生物对酸洗碳钢的缓蚀行为。失重试验结果表明，缓蚀率由大到小的顺序为S苄基半胱氨酸〉S-己基半胱氨酸〉S-丁基半胱氨酸，当前两者浓度为800mg／L时缓蚀率都达到了98％以上。极化曲线表明，S苄基半胱氨酸和孓丁基半胱氨酸均为混合型缓蚀剂，孓己基半胱氨酸在低浓度（50mg／L）时为阴极型缓蚀剂，高浓度（〉50mg／L）时为抑制阴极为主的混合型缓蚀剂；电化学阻抗测试表明碳钢表面电荷转移电阻随缓蚀剂浓度增加而增大。
关键词:
半胱氨酸
,
衍生物
,
酸腐蚀
,
碳钢
钟国清
,
栾绍嵘
,
陈娅如
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2002.09.014
用固相反应法合成了碘化砷、氯化锑与硫脲(Tu)和半胱氨酸(Cys)的配合物,用元素分析、IR及X射线粉末衍射进行了表征. 配合物组成为:ML3X3(M=As、Sb,L=Cys、Tu,X=I、Cl),它们在空气中稳定,不吸湿,微溶于水. 几种配合物晶体结构均属单斜晶系,配合物As(Cys)3I3的晶胞参数为:a=1.174 3 nm,b=0.694 5 nm,c=1.682 2 nm,β=95.28°;As(Tu)3I3的晶胞参数为:a=1.111 9 nm,b=1.903 0 nm,c=1.541 0 nm,β=94.77°;Sb(Cys)3Cl3晶胞参数为:a=1.205 1 nm,b=0.679 2 nm,c=1.685 0 nm,β=95.79°;Sb(Tu)3Cl3的晶胞参数为:a=1.234 3 nm,b=1.658 5 nm,c=1.925 2 nm,β=96.46°.
关键词:
三卤化砷
,
三卤化锑
,
半胱氨酸
,
硫脲
,
配合物
,
固相合成
濮文虹
,
黄金桃
,
钱功明
,
张敬东
,
Munetaka Oyama
,
桂娟
,
杨昌柱
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2007.08.004
采用一步化学原位还原法将球形纳米铂颗粒直接修饰在玻碳电极上,用SEM、EDS和电化学方法对该电极进行表征并与铂片电极、裸玻碳电极进行了对比.结果表明,纳米铂修饰电极的峰电流与扫描速度呈线性关系,纳米铂在电极表面覆盖率为1.28×10-7 mol/cm2.循环伏安法研究结果表明纳米铂修饰电极对半胱氨酸的催化氧化作用和铂片电极相比提高了数倍,且峰电位负移了0.3 V.在纳米铂修饰的玻碳电极上,半胱氨酸的浓度在1.0×10-7 mol/L到1.0×10-5 mol/L范围内和催化电流呈线性关系.
关键词:
化学原位一步还原法
,
纳米铂
,
半胱氨酸
,
玻碳
