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吴峻峰 , 毕津顺 , 李多力 , 薛丽君 , 海潮和
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.05.006
提出了一个提高PDSOI nMOSFETs可靠性的方法,并且研究了这种器件的热载流子可靠性.这种方法是在制造器件中,进行背沟道注入时只注入背沟道一半的区域.应力试验结果表明这种新的器件和常规器件相比,展示了较低的热载流子退变.2D器件模拟表明在漏端降低的峰值电场有助于这种器件提高的热载流子可靠性.
关键词: 半背沟 , 热载流子 , 可靠性
