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High Hole Mobility of GaSb Relaxed Epilayer Grown on GaAs Substrate by MOCVD through Interfacial Misfit Dislocations Array

材料科学技术（英文）

关键词: MOCVD生长 , GaAs衬底 , 失配位错 , 锑化镓 , 阵列 , 国际货币基金组织 , 半绝缘砷化镓 , 化学气相沉积法

热处理对大直径半绝缘砷化镓中EL2缺陷的影响

王丽华 , 郝秋艳 , 解新建 , 刘红艳 , 刘彩池

材料热处理学报

利用金相显微镜和微区红外测量技术分析热处理对液封直拉法生长的大直径半绝缘砷化镓（LECSI-GaAs）单晶中深施主缺陷EL2的影响。结果表明，原生大直径SI—GaAs样品中EL2缺陷浓度沿直径方向的分布呈现中心区域较高、近中心区域最低、边缘区域最高的特点。500℃退火EL2缺陷浓度稳定，真空闭管并快速冷却条件下850℃以上退火时，EL2缺陷浓度随温度升高而下降。并分析了热处理对EL2缺陷的影响机理。

关键词: 半绝缘砷化镓 , 热处理 , EL2缺陷 , 微区红外测量技术

半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题

李成基 , 李韫言 , 王万年 , 何宏家

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.006

建立了绝缘电阻大于1013Ω和温度起伏小于0.1℃的半绝缘砷化镓Hall测量装置.研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响,并讨论了各种因素所引起的测量误差.

关键词: 半绝缘砷化镓 , Hall测量 , 电阻率 , 迁移率

热处理对非掺杂半绝缘 GaAs 本征缺陷和电特性的影响

杨瑞霞 , 张富强 , 陈诺夫

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2001.06.007

在 950℃和 1120℃温度下,对非掺杂(ND)半绝缘(SI)液封直拉(LEC) GaAs 单晶进行了不同砷气压条件的热处理,研究了热处理对本征缺陷和电特性的影响.在 950℃和低砷压条件下进行 14 h 热处理,可在样品中引入本征受主缺陷并导致体霍尔迁移率大幅度下降和体电阻率明显增加.这些受主缺陷的产生是由于高温和低砷压条件下 GaAs 晶体中发生砷间隙原子的外扩散.提高热处理过程中的砷气压,可以抑制这些受主缺陷的产生和电参数的变化.真空条件下,在 1120℃热处理 2～8 h 并快速冷却后,可使样品中的主要施主缺陷 EL2 浓度下降近一个数量级,提高热处理过程中的砷气压,可以抑制 EL2 浓度下降,这种抑制作用是由于高温、高砷压条件下 GaAs 晶体发生了砷间隙原子的内扩散.

关键词: 半绝缘砷化镓 , 本征受主缺陷 , 砷间隙扩散 , 砷压 , 热处理