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Si衬底上低真空热处理制备单一相Mg2Si半导体薄膜

肖清泉 , 谢泉 , 沈向前 , 张晋敏 , 陈茜

功能材料

采用磁控溅射沉积方法制备Mg2 Si半导体薄膜.首先在Si衬底上沉积Mg膜,随后低真空热处理.采用X射线衍射、扫描电镜、拉曼光谱对Mg2Si薄膜的结构进行表征.研究了在低真空(10-1~10-2Pa)条件下热处理温度(350~550℃)和热处理时间(3~7h)对Mg2Si薄膜形成的影响.结果表明,低真空热处理条件下制备了单一相Mg2Si半导体薄膜,400~550℃热处理4~5h是最佳的热处理条件.在拉曼谱中256和690cm-1处观察到两个散射峰,这与Mg2Si的拉曼特征峰峰位一致.

关键词: 半导体薄膜 , Mg2Si , 磁控溅射 , 热处理 , 表征

金属氧化物半导体薄膜气敏机理研究进展

李建昌 , 韩小波 , 姜永辉 , 巴德纯

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.015

气体传感器的核心介质为气敏薄膜,而薄膜本身的特性有关键的影响,主要体现在薄膜微观结构如晶粒尺寸、膜厚、空隙率和有效表面积等方面.溶胶-凝胶法由于有方法简单及成膜温度低等优点,得到了广泛研究与应用.本文综述了溶胶-凝胶法制备的金属氧化物薄膜微纳结构与气敏机理进来的研究进展,结果表明最佳的晶粒尺寸约为10nm,最佳膜厚约为110 nm.在晶粒尺寸控制方面,通过控制煅烧温度与时间及在溶胶-凝胶过程中加入不同的添加剂,可有效优化晶粒尺寸提高灵敏度.最后,从能带结构角度总结了气敏传感器的电学特性及荷电传输机理,讨论了热电子发射理论和电子隧穿理论起主导作用时的薄膜微纳结构.

关键词: 金属氧化物薄膜 , 半导体薄膜 , 气体传感器 , 溶胶-凝胶法

用微波电子自旋共振等离子源离子注入增强溅射沉积法在玻璃表面制备氧化铟膜

王承遇 , 王波 , 陶瑛 , 刘洪珠 , 马腾才

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2000.02.007

利用微波电子自旋共振等离子源离子注入增强沉积法在玻璃表面制备了非化学计量半导体氧化铟膜.与反应溅射和反应沉积相比,此法制备的氧化铟膜与玻璃基体的附着良好,并因高的注入能量而改善了玻璃表面硬度.同时研究了In与O的结合能及浓度深度分布.

关键词: 氧化铟 , 玻璃涂层 , 半导体薄膜 , 离子注入

电沉积制备CuInS2半导体薄膜及其光学性能研究

孙倩 , 关荣锋 , 张大峰

人工晶体学报

利用电化学循环伏安法研究了Cu2、In3+及S2O2-在不同pH条件下的伏安特性,发现以柠檬酸为络合剂,pH=6时几种离子在-0.8V电位下的电化学还原行为相近,在此基础上采用恒电位法在ITO导电玻璃基底上制备CIS薄膜太阳能电池用的吸收层材料CuInS2半导体薄膜.为提高膜层的结晶度,选取空气、Ar、及Ar+S三种气氛对沉积的膜层进行热处理,SEM、XRD及Raman光谱结果表明,经Ar气氛中硫化热处理才可以得到结晶度好且形貌均匀致密的薄膜.Cu2+/In3+比影响薄膜的结晶生长,结果表明,随着Cu/In比的增大,薄膜以典型的黄铜矿结构为主,当沉积电位为-0.8V且Cu2+/In3=1.8时基底上得到的高质量CuInS2半导体薄膜的光学带隙是1.55 eV.

关键词: 半导体薄膜 , 太阳能电池 , CuInS2 , 黄铜矿结构 , 光学带隙

Cu-Ti合金与H2O2直接氧化法制备Cu掺杂TiO2薄膜

王先飞 , 潘冶 , 吴继礼 , 李星洲

材料工程 doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2016.01.004

以Cu-Ti合金为基体,采用含H2O2溶液直接氧化法制备Cu掺杂TiO2薄膜,利用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)对薄膜形貌、化学成分和相组成进行分析.结果表明:所制薄膜通过溶解-沉积机理形成,合金表面先沉积Cu掺杂的非晶态TiO2薄膜,经空气中450℃热处理1h获得Cu掺杂的锐钛矿型晶态TiO2薄膜.含H2O2溶液中需加入一定量聚碳酸酯或聚乙烯乙酸酯,以促进非晶态TiO2在合金表面的沉积.所制薄膜对罗丹明B具有优异的光催化降解作用,在12W紫外光下照射4h后,Cu30Ti70合金表面形成的薄膜对罗丹明B溶液(20mg/L)的降解率达到31.7%.

关键词: TiO2 , 半导体薄膜 , 光催化 , 化学合成

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