周春锋
,
高瑞良
,
齐德格
,
赖占平
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.007
为了获得高质量半绝缘砷化镓单晶片,有必要降低微缺陷密度.开展了晶片热处理工艺的研究,确定了晶片热处理的温度、时间、降温速率等一系列工艺参数,证实了采用此项工艺能降低LEC-GaAs晶片的砷沉淀密度,即AB-EPD,同时也保证了晶片的电学参数不受影响.通过对晶片热处理工艺过程和结果进行分析,给出了晶片热处理工艺理论模型的解释.
关键词:
半导体物理学
,
砷沉淀
,
AB微缺陷
,
半绝缘砷化镓单晶片
