马德营
,
李佩旭
,
夏伟
,
李树强
,
汤庆敏
,
张新
,
任忠祥
,
徐现刚
人工晶体学报
本文采用低压金属有机化学气相沉积系统(LP-MOCVD)生长出Mg掺杂压应变分别限制多量子阱结构的AlGaInP/GaInP 660 nm LD外延材料,制作出腔长1000 μm、条宽150 μm的宽面半导体激光器.采用选择性Zn扩散在管芯两端面区制作出透明窗口结构来提高器件的腔面光灾变阈值(COD).透明窗口结构激光器最大连续输出功率为3.7 W,是正常结构的激光器COD饱和功率的4.4倍.激光器的特征温度T0为68 K,热阻为4.6 K/W.在热沉温度为20 ℃时进行了500 mW恒功率老化,老化时间为1000 h.
关键词:
窗口结构
,
Zn扩散
,
热阻
,
AlGaInP
,
半导体激光器
张雄
,
李爱珍
,
张永刚
,
郑燕兰
,
徐刚毅
,
齐鸣
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.034
报道了可在室温下脉冲工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2 μm 多量子阱脊波导半导体激光器.器件材料生长采用固态源分子束外延的方法,器件有源层采用应变补偿量子阱结构,激光器结构中引入了加宽波导的设计.制备的多量子阱激光器最高工作温度可达60 ℃,激射波长2.08 μm.室温下阈值电流为350 mA,20～50 ℃范围内特征温度为88 K.
关键词:
半导体激光器
,
分子束外延
吴根柱
,
齐鸣
,
叙安怀
,
张永刚
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.023
采用金属银(Ag)做为高反射镀膜材料,ZrO2介质膜作为与激光器端面的绝缘层和 Ag保护膜,在激光器后腔面实现了高反射涂层.经激光器光电特性测试表明,该高反射膜系能使激光器输出功率提高 60%,阈值电流减小 20%～50%,并且具有良好的化学稳定性、热稳定性和机械强度,能有效保护半导体激光器后腔面.
关键词:
后腔面
,
反射率
,
高反射膜
,
半导体激光器
胡贵军
,
石家纬
,
张素梅
,
齐丽云
,
李红岩
,
张锋刚
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.037
介绍了808nm高功率量子阱远结半导体激光器的结构和器件特性,测试了器件的低频电噪声,讨论了噪声与频率、注入电流及器件质量的关系.结果表明,808nm高功率量子阱远结半导体激光器的阈值电流在老化初期随时间的延续而降低,其噪声在低频段主要为1/f噪声,且在阈值附近有最大值,器件噪声与器件质量有一定的相关性.
关键词:
半导体激光器
,
高功率
,
远结
,
噪声
劳燕锋
,
吴惠桢
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.017
采用有效质量模型下的4×4 Luttinger-Kohn哈密顿量矩阵对GaxIn1-xAs/In0.80Ga0.20As0.44P0.56/InP量子阱结构进行了能带计算,求得了该量子阱结构跃迁能量随组份及阱宽的变化关系,从而得到了激射波长1.44 μm时的Ga组份x与阱宽Lw(在5～10 nm内取值)的相互关系: x=0.32013+0.06093Lw-0.00534 Lw2 + 0.00017483 Lw3,当阱宽为5～10 nm,因而Ga组份为0.51～0.57时,阱材料中产生的张应变量为: 0.29%～0.70%.最后,我们计算了该量子阱结构的能量色散关系和光增益谱,从而对x与Lw组合值进行优化.
关键词:
半导体激光器
,
量子阱结构
,
应变
,
光增益谱
张蕾
,
崔碧峰
,
段天利
,
马楠
,
郭伟玲
,
王智群
,
沈光地
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.015
针对隧道再生半导体激光器,建立了内部热源分布模型,利用有限元方法模拟计算了两有源区隧道再生半导体激光器瞬态和稳态三维温度分布.瞬态模拟结果表明,加电后几个s的时间内两个有源区的温升很小,在几个s到几十个ms的时间内温度上升很快,几百个ms以后温度达到稳态,与测量结果吻合.稳态模拟结果表明,稳态时温升集中在脊形电极内,靠近衬底的有源区温度始终高于靠近热沉的有源区的温度.沿腔长方向存在温差,在光反射腔面附近温度下降较快.芯片内最高温度出现在靠近衬底有源区的光出射腔面的脊形电极中心.
关键词:
半导体激光器
,
三维温度分布
,
瞬态
,
稳态
,
隧道再生
薄报学
,
宋晓伟
,
王玲
,
曲轶
,
高鼎三
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.032
在分析大功率半导体激光器的光束输出特性的基础上,针对Nd:YVO4/KTP腔内倍频激光器的泵浦光源要求,研究了大功率半导体激光器光束输出的多种整形方法,同时比较了不同泵浦光束形状对Nd:YVO4/KTP腔内倍频激光器输出效率的影响.
关键词:
光束整形
,
半导体激光器
,
腔内倍频
,
转换效率
周瑜
,
丁永奎
,
倪文俊
,
谭莉
,
戴林
,
李世忱
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.04.010
温度对半导体激光器的特性有很大的影响.在要求半导体激光器输出波长稳定的情况下,必须对其温度进行高精度的控制.本文利用高信噪比的运算放大器和普通的负温度系数温度传感器及半导体致冷器做控温元件,研制了一种用于半导体激光器温度控制的高精度温控仪,控制精度可达±0.05℃.
关键词:
温度传感器
,
电热致冷器
,
半导体激光器
,
温度控制
