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以非晶硅薄膜为核心的薄膜晶体管技术目前已经相当成熟,在该技术投入使用并且得以很好地优化之后,要想进一步提高薄膜晶体管的性能,就有必要开发新型的薄膜材料.近年来,由半导体纳米晶体构成的新型薄膜材料在晶体管中的应用越来越受到人们关注.利用半导体纳米晶体制备的薄膜晶体管有着较高的载流子迁移率和开关电流比,同时在其制备过程中可以在较低温度下大面积成膜,能够使用塑料等柔性衬底,因而具有明显的成本优势,发展前景广阔.着重介绍了几种颇具潜力的半导体(如硒化镉、碲化汞、硒化铅、锗、硅)纳米晶体在制备薄膜晶体管方面的应用.

关键词: 薄膜晶体管 , 有源层 , 半导体 , 纳米晶体 , 硒化镉 , 碲化汞 , 硒化铅 , 锗 , 硅

高纯贵金属靶材在半导体制造中的应用与制备技术

何金江 , 陈明 , 朱晓光 , 罗俊锋 , 尚再艳 , 贺昕 , 熊晓东

贵金属

高纯 Au、Ag、Pt、Ru 贵金属及其合金溅射靶材是半导体 PVD 工艺制程中的溅射源材料，广泛用于半导体制造工艺中，成为保证半导体器件性能和发展半导体技术必不可少及不可替代的材料。材料的高纯化、高性能贵金属及其合金靶材的制备（金属熔铸、热机械处理、粉末烧结、焊接等）以及贵金属靶材残靶及加工余料残屑的提纯回收利用是研究发展的重点，以实现贵金属靶材产品的高效增值。

关键词: 金属材料 , 半导体 , 溅射靶材 , 高纯 , 金 , 银 , 铂 , 钌

基于BiOX（X=Cl、Br、I）新型高性能光催化材料的最新研究进展

刘家琴 , 吴玉程

无机材料学报 doi:10.15541/jim20150060

铋系半导体 BiOX(X=Cl、Br、I)因其独特的层状结构和合适的禁带宽度而表现出优异的光催化活性与稳定性，已成为光催化材料领域极具应用前景的材料体系。本文首先针对BiOX(X=Cl、Br、I)光催化材料研究中的关键科学问题进行了深入分析，进一步综述了国内外解决上述关键问题所采取的有效措施，包括：微结构调控、半导体复合、贵金属沉积、离子掺杂和表面敏化等，并针对纳米结构BiOX(X=Cl、Br、I)负载于合适载体上实现固载的研究进展进行了概述，从而对基于BiOX(X=Cl、Br、I)新型高性能光催化材料的最新研究进展进行了全面深入的综述，最后展望了BiOX光催化材料的研究方向与趋势。

关键词: BiOX(X=Cl , Br , I) , 半导体 , 光催化 , 改性 , 固载 , 综述

半导体硅表面化学镀铜

王勇 , 张远明 , 陈云飞

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2006.02.002

介绍了以次磷酸钠为还原剂、硫酸镍为再活化剂的半导体N型硅表面化学镀铜工艺及其前处理.探讨了镀液中铜盐含量、还原剂含量、pH及温度对沉积速率的影响.确定了化学镀铜最佳工艺条件:0.15 mol/L CuSO4 · 5H2O,0.03 mol/L NiSO4 · 6H2O ,0.75 mol/L NaH2PO2 · H2O ,0.08 mol/L Na3C6H5O7 · H2O,0.5 mol/L H3BO3 ,<0.2 mg/L硫脲,60～65 ℃,pH 12.0～12.5.采用扫描电镜及能谱仪分别对镀覆30 min及40 min制得的2种镀层表面形貌及成分进行了分析与比较.结果表明,镀覆30 min镀层组织较为致密,而镀覆40 min的镀层组织较粗糙;随镀覆时间的延长,镀层中铜含量明显提高.该镀层接触电阻基本能满足微制冷器的要求.

关键词: 半导体 , N 型硅 , 化学镀铜 , 再活化剂 , 沉积速率 , 表面形貌 , 接触电阻

用TiO2,ZnO及Fe2O3纳米粒子光催化氧化庚烷的反应

尚静 , 朱永法 , 徐自力 , 井立强 , 杜尧国

催化学报

制备了三种n-型半导体氧化物TiO2,ZnO和Fe2O3纳米粒子,用X射线衍射和N2吸附技术分别对它们的结构及比表面积进行了表征. 考察了三种氧化物粒子对庚烷的气相光催化氧化反应的催化活性. 研究表明,对于同种催化剂,随着焙烧温度的升高,催化剂的粒径增大,比表面积减小,光催化活性下降. 三种催化剂纳米粒子的光催化活性顺序为TiO2(锐钛矿)＞ZnO＞Fe2O3,金红石型TiO2粒子的催化活性低于ZnO粒子. 结合能带理论探讨了三种催化剂光催化活性差异的原因.

关键词: 二氧化钛 , 氧化锌 , 三氧化二铁 , 庚烷 , 光催化氧化 , 纳米粒子 , 半导体

AZ31镁合金阳极氧化膜在3.5％NaCl溶液中不同浸泡时间的腐蚀机制

刘渝萍 , 宋卫华 , 陈昌国 , 尹玲 , 郭朝中

材料保护

为了进一步弄清AZ31镁合金阳极氧化膜在NaCl溶液中的腐蚀机制,采用极化曲线、电容测量技术,基于半导体电化学方法研究了其在3.5 ％NaCl溶液中耐蚀性能与其半导体特性的关系,得到不同浸泡时间下的载流子浓度以及平带电位.结果表明:镁合金阳极氧化膜为N型半导体,随浸泡时间的增加,载流子浓度呈上升趋势,由浸泡10 min时的1.83×1018 cm-3增大到96 h时8.60×1020cm-3,平带电位为-1.69～-1.52V,低于镁合金(-1.44～-1.57 V),在浸泡时间为1h时膜的平带电位最负,耐蚀性最好；镁合金阳极氧化膜的腐蚀失效过程会经过自我修复期-点蚀诱导期-点蚀期-快速腐蚀期4个阶段.

关键词: 阳极氧化 , AZ31镁合金 , 半导体 , 电容测量技术 , 极化曲线 , NaCl溶液 , 腐蚀机制

氧化锌晶体的研究进展

宋词 , 杭寅 , 徐军

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.018

基于ZnO的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体ZnO材料的新的研究热潮.ZnO以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料,因此对ZnO单晶的研究有重要的理论和实践意义.目前生长ZnO的方法有助熔剂法、水热法、气相法和坩埚下降法等等,但所生长的ZnO单晶的尺寸和质量都有待于提高.

关键词: 氧化锌 , 晶体生长 , 半导体 , 水热法 , 助熔剂法 , 气相法 , 坩埚下降法

基于半导体和纳米金属的高效人工光合成材料体系构建与应用

王德法 , 刘乐全 , 欧阳述昕 , 叶金花

中国材料进展 doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2017.01.01

通过人工光合成技术把二氧化碳转换成碳氢化合物燃料,是人类梦寐以求的一种太阳能化学转化和利用的理想技术,近年来受到科学界和工业界越来越广泛的关注.从以下3个技术途径综述了近年来基于半导体和纳米金属的宽光谱响应高效人工光合成材料体系的构建与应用:①从人工光合成热力学条件出发,基于半导体能带工程设计制备新型高效人工光合成材料;②利用纳米贵金属表面等离子共振效应,设计和制备基于纳米金属的宽广谱响应人工光合成体系,可以有效拓展其光吸收范围至近红外区;③利用VIII过度族金属光热效应,设计与制备基于VIII族金属纳米粒子的全光谱响应人工光合成体系,可以有效拓展光吸收范围至红外区,使人工光合成体系具有全光谱响应.特别关注在上述人工光合成材料体系中非极性CO2分子活化、表/界面现象及光化学反应微观机制,为开发高效人工光合成材料体系提供理论和实验依据.

关键词: 综述 , 人工光合成 , 半导体 , 能带工程 , 纳米金属 , 等离子体共振效应 , 光热效应