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SiC籽晶背面镀膜对生长晶体品质的影响

刘兵 , 陈治明 , 封先锋 , 林生晃 , 王风府

人工晶体学报

在SiC单晶生长过程中,与籽晶背面升华有关的热分解腔等缺陷的形成严重影响了生长晶体的品质.本文介绍一种可以有效防止籽晶背面升华的预处理方法,即在粘贴籽晶之前,用直流反应溅射法在籽晶背面镀一层均匀、致密的耐高温薄膜TiN.实验结果表明,用这种方法生长的晶体中未发现热分解腔和六方空洞,而且微管密度也有所降低.

关键词: SiC籽晶 , 升华 , 热分解腔 , 微管

升华法制备m面非极性-AlN单晶体的研究

武红磊 , 郑瑞生 , 李萌萌 , 闫征

人工晶体学报

AlN晶体在c轴方向具有很强的自发和压电极化效应,影响了其器件的性能.生长高质量的非极性面AlN晶体材料是解决该问题的有效途径.本研究结合AlN晶体沿c轴择优生长的特点,使用自行设计的双区电阻加热生长装置,升华制备出尺寸为厘米级m面非极性AlN单晶体,并利用X射线衍射和能谱对样品进行测试分析.实验结果表明AlN单晶体的方向为(100),铝和氮原子比例为50.3%和49.7%,接近理想比例1∶1.最后,对m面非极性AlN单晶体的形成机理进行探讨.

关键词: 升华 , 非极化 , AlN晶体 , m面

升华法生长氮化铝晶体的热场分析

武红磊 , 郑瑞生 , 李萌萌 , 闫征 , 郑伟 , 徐百胜

人工晶体学报

本文使用有限元法模拟氮化铝晶体生长系统的温度场,分析了坩埚的位置、感应线圈的匝间距以及原料与晶体之间的距离对温度场分布的影响.结果表明:坩埚位置主要影响系统中最高温度的位置及温度梯度的大小原料与结晶体之间的距离仅对温度梯度有影响;感应线圈的匝间距则影响加热效率的高低.通过合理优化以上三个条件,可以获得适宜于高品质氮化铝晶体快速制备的理想热场.

关键词: 升华 , 温度场 , 氮化铝晶体 , 有限元

霜层表面部分冰晶升华的实验观测

梁展鹏 , 彭晓峰 , 李智敏 , 王补宣

工程热物理学报

本文通过显微摄像的手段研究霜层表面冰晶形态演化.霜层充分发展后,部分柱状冰晶在周围冰晶正常生长的同时发生升华,并且升华过程从温度较低的根部开始.对于不同的结霜条件,柱状冰晶的升华过程可能以颈部熔断或者顶部融化两种不同方式结束.霜层表面存在复杂的温度和蒸汽浓度分布,局部出现负值的过饱和度是产生这种反常升华现象的主要原因.

关键词: , 冰晶 , 升华

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