徐跃
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黄海云
功能材料与器件学报
本文针对十字形CMOS霍尔器件提出了一种精确的行为性仿真模型.该模型由一个90°旋转对称的无源网络构成,包含4个电流控制的霍尔电压源,12个非线性电阻和8个寄生电容.该行为性模型完全考虑了霍尔器件的各种重要物理效应以及寄生电容和接触电阻的影响,使用Ver-ilog_A语言进行描述,非常适合在Cadence Spectre环境下进行霍尔器件和电路全集成的仿真.使用AMS 0.8 μm CMOS工艺参数对该模型做了电路仿真,仿真结果与实验结果达到了很好的一致性,显示出该模型具有极高的仿真精度同时又无需复杂的计算量.
关键词:
十字形CMOS霍尔器件
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行为性模型
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Verilog_A语言
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电路仿真
