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甲胺-铁氰化钾抛光液中铜钝化成膜的机理研究

何捍卫 , 周科朝 , 胡岳华

功能材料

用电化学循环伏安测试技术研究了铜在甲胺-铁氰化钾抛光液中钝化成膜的机理.通过大幅度改变电位扫描速率,分析了氧化峰电流(IApa)、氧化峰电位(EApa)及阳阴峰电流的比值(IApa/IApc)与相应电位扫描速率的关系.结果表明,氧化峰电流和氧化峰电位均与电位扫描速率的平方根成线性关系,说明成膜复盖度θ与电位扫描速率无关,成膜过程符合Muller模型.成膜过程中,电极反应存在后置化学转化,铜在去极化剂作用下发生失去一个电子的阳极溶解反应,然后再进行化学转化反应生成Cu4[Fe(CN)6]钝化膜.在CMP过程中,具有这种钝化膜的铜的腐蚀电流密度及抛光速率随抛光转速的增加而增大.

关键词: , 化学-机械抛光 , 钝化 , 机理

铜在甲胺介质铁氰化钾化学-机械抛光液中的电化学行为

何捍卫 , 胡岳华 , 黄可龙

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2001.11.011

用电化学测试技术研究了介质和成膜剂浓度对铜表面的成膜及抛光过程的影响,探讨了化学机械抛光的压力、转速与膜的厚度、致密性的关系,找出了可以定性说明抛光过程及抛光速率的电化学变量或腐蚀电位(E-corrosion)及腐蚀电流密度(I-corrosion),并据E-corrosion及I-corrosion的变化规律得到如下主要结论:1)介质及成膜剂浓度对铜表面钝化膜的厚度、致密性起关键作用;2)膜的厚度、致密性决定了抛光的压力及转速;3)膜的除去速率和再生速率影响抛光过程.

关键词: , 化学-机械抛光 , 电化学行为

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