于金伟
电镀与涂饰
从化学镀钯反应机理入手,分析了影响化学镀钯质量的工艺参数,并运用DOE(试验设计)中的健壮设计实验方法,对这些参数进行了优化,获得了新型ENEPIG(化学镀镍、钯与浸金)印制电路板生产中化学镀钯的最优化工艺参数:氯化钯质量浓度2.2 g/L,次磷酸钠质量浓度13.2 g/L,氨水体积分数165 mL/L,温度55℃,pH 9.6,氯化铵质量浓度33 g/L.验证试验表明,应用优化后的化学镀钯工艺时,钯的沉积速率均值从原来的0.64 mg/(cm2·min)提升到4.83 mg/(cm2·min),分散度也有明显改善.经过大样本量验证,试验具有良好的重复性和再现性.
关键词:
印制电路板
,
化学镀钯
,
优化
,
健壮设计
,
沉积速率
张甜甜
,
赵亮亮
,
万传云
,
何云庆
,
徐彬
电镀与涂饰
研究了铜表面化学镀钯工艺,通过称重法、贴滤纸法、扫描电镜和电化学极化曲线等探讨了施镀温度和时间对镀液pH以及镀层沉积速率、孔隙率、表面形貌和在3％NaCl溶液中腐蚀行为的影响,采用能谱和X射线衍射分析方法对镀层组成和结构进行了表征.化学镀钯适宜的温度和时间分别为52℃和35 min.此时,化学镀钯的沉积速率最大,为1.16 mg/(cm2·h);得到的镀层均匀、致密,腐蚀电流密度最小,腐蚀阻抗最高,腐蚀速率最低.镀层中的钯以微晶态存在,磷含量约为5％.
关键词:
铜
,
化学镀钯
,
耐蚀性
,
沉积速率
,
腐蚀电流
刘菲
,
赵彦亮
,
王文霞
电镀与涂饰
以Nb49Ni25Ti26氢渗透合金或载玻片为基体,在不同温度下进行化学镀钯.化学镀钯液组成与工艺条件为:PdCl22 g/L,NaH2P02-H20 10 g/L,38％盐酸4 mL/L,NH4C1 27 g/L,28％氨水160 mL/L,pH 9.8±0.2,施镀时间2h.研究了镀液温度对镀速和Pd镀层表面形貌、耐蚀性及氢渗透性能的影响.结果表明,化学镀钯的最佳温度为60 ℃,此时镀速达到最大[为4.05 mg/(cm2.h)],制备的Pd镀层均匀、致密,耐腐蚀性好,具有较强的氢渗透作用.
关键词:
化学镀钯
,
温度
,
氢渗透
,
沉积速率
,
耐蚀性
于金伟
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2016.01.004
化学镀钯是制作新型ENEPIG印制电路板最关键的工艺,从化学镀钯反应机理入手,分析了影响质量的工艺参数,运用实验设计中健壮设计的实验方法,对工艺参数进行了优化,找到了新型ENEPIG印制电路板中化学镀钯的最优工艺参数:2.2g/L氯化钯,13.2g/L次磷酸钠,165 mL/L氢氧化铵,33 g/L氯化铵,镀液θ为55℃,pH为9.6.验证试验表明,应用改善后的镀钯工艺,钯的沉积速率明显加快,集中度也得到显著提高.
关键词:
印制电路板
,
化学镀钯
,
工艺
,
参数优化
