罗捷
,
孙友梅
,
侯明东
,
段敬来
,
常海龙
,
刘杰
原子核物理评论
二氧化钛(Titatium Dioxide,简称TiO2)晶体在中能重离子辐照时表面会出现肿胀效应,肿胀高度与入射离子的电子能损和辐照注量有关。辐照后的TiO2在一定条件下能够被氢氟酸溶液化学蚀刻,化学蚀刻的电子能损阈值为8.2 keV/nm,未辐照TiO2呈现几乎零蚀刻率。要达到饱和蚀刻深度,辐照离子的注量必须大于或等于1×1013ions/cm2。采用离子辐照的潜径迹理论分析研究了辐照损伤及对化学蚀刻的影响,快重离子辐照结合化学蚀刻是制备TiO2微结构的有效方法。
关键词:
TiO2
,
辐照肿胀
,
化学蚀刻
,
电子能损
张晨晖
,
张晟
,
杨尚杰
玻璃钢/复合材料
本项目采用化学蚀刻法制作副反射器栅面图形替代原来的绷丝工艺;用高强度聚氨酯泡沫、J-164填充胶、低密度纤维粉等材料制作天线反射器法兰和加强筋部分;采用一体化成型法兰的方法既节约了两套法兰模具、缩短了天线制作周期,又减轻了天线的重量,采用合理的后处理工艺使天线反射器的型面精度达到图纸要求.
关键词:
化学蚀刻
,
重量
,
副反射器
,
型面精度
薄海瑞
,
林传
,
吴海超
,
李盈波
,
刘首坤
,
陈丹霞
电镀与涂饰
以蚀刻速率为主要指标,对比研究了硝酸体系、过硫酸钠-硫酸体系、过氧化氢-硫酸体系和自配复杂体系蚀刻液对925银的蚀刻能力,得到了几种满足不同应用的蚀刻液配方.适用于深蚀或镂空蚀的蚀刻液有质量分数为40%~50%的室温硝酸溶液,以及自配复杂体系(温度30℃)—硝酸25%(均为质量分数),硫酸20%,过氧化氢15%,硝酸铵4%,草酸1%,水余量.适用于浅蚀的蚀刻液有:过硫酸钠-硫酸体系(温度50℃)—过硫酸钠150 g/L,硫酸体积分数2%;过氧化氢-硫酸体系(温度30℃)—过氧化氢质量分数30%,硫酸质量分数20%,水余量;自配复杂体系(温度30℃)—肖酸15%(均为质量分数),硫酸15%,过氧化氢20%,硝酸铵4%,草酸1%,水余量.
关键词:
银
,
化学蚀刻
,
硝酸
,
过硫酸钠
,
过氧化氢
张永成
,
卢建树
表面技术
目的:研究化学蚀刻304不锈钢表面结构类型、形成过程及其应用。方法以304不锈钢为对象,以FeCl3系溶液为蚀刻剂,采用化学蚀刻的工艺,通过表面分析和SEM等手段,研究化学蚀刻的过程以及表面结构的类型。结果在40°常压下,250 g/L FeCl3中使304不锈钢表面光滑的盐酸用量( y)与硝酸用量(x)满足一定的关系:y=19.37+0.13x±0.5,x≤120 mL/L;y=-8.67+0.62x±0.5,x≥130 ml/L。溶液中Cl-含量是影响蚀刻后不锈钢表面的平整度的主要因素。结论改变蚀刻溶液性质可以改变蚀刻后304不锈钢表面形成的结构。
关键词:
304不锈钢
,
化学蚀刻
,
表面结构
樊丽梅
,
文九巴
,
赵胜利
,
祝要民
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2007.01.007
采用酸碱两种不同的化学蚀刻液对单晶硅表面进行蚀刻,通过扫描电镜(SEM)对其形貌进行了表征,考察了蚀刻液浓度、蚀刻时间及温度对表面形貌的影响.结果表明,在HNO3+HF溶液中,20℃时用2.81mol/L HF+18.81mol/L HNO3反应5min或2.67mol/L HF+17.85mol/L HNO3反应15min,制得了硅片表面腐蚀坑大小适中、分布均匀的多孔状表面;在KOH水溶液中,50℃时在33%的KOH水溶液中反应10min获得了表面积大、分布均匀的绒状表面.
关键词:
化学蚀刻
,
单晶硅片
,
表面形貌
傅玉婷
,
巴俊洲
,
蒋亚雄
,
颜飞雪
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2010.01.025
为了得到更好的蚀刻效果,有必要研究蚀刻液的稳定性,因而研究方法显得尤为重要.研究了3组各成分含量不同的蚀刻液的稳定性,通过原子发射光谱法测得蚀刻液中Ni2+浓度,并间接计算出腐蚀量,对比考察了根据蚀刻速率-腐蚀量的关系和蚀刻速率-时间的关系研究蚀刻液稳定性这2种方法.实验结果证明:根据蚀刻速率-腐蚀量的关系研究蚀刻液的稳定性具有可行性,且更具优越性;同时,3种蚀刻液中,1B42稳定性最好,且该蚀刻液的最大金属腐蚀量为3 g/L.
关键词:
化学蚀刻
,
蚀刻液
,
稳定性
文九巴
,
樊丽梅
,
赵胜利
,
祝要民
腐蚀学报(英文)
doi:10.3969/j.issn.1002-6495.2007.04.010
用HF+HNO3溶液蚀刻单晶硅表面,通过扫描电镜表征其形貌和厚度变化,研究了蚀刻液浓度、蚀刻时间及温度对单晶硅化学蚀刻行为的影响.结果表明,温度对蚀刻速率的影响较大,温度升高使表面蚀刻不均匀,厚度急剧减小;硅片的厚度及表面形貌在蚀刻液浓度大于2.0 mol/L时变化较显著;室温时用1.5 mol/L HF+HNO3蚀刻15 min获得了蚀坑大小适中(10 μm~15 μm)、分布均匀的多孔状表面.
关键词:
单晶硅片
,
化学蚀刻
,
表面形貌