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化学溶液沉积法La2CuMnO6缓冲层薄膜的制备与结构表征

马高峰 , 雷宁 , 张国防 , 卢亚峰 , 郗大来 , 白宏斌 , 王炳旭 , 冯宝奇

材料导报

根据镧、铜及锰盐在不同溶剂中的溶解性,选择合适的溶剂及镧、铜及锰盐为前驱体,配制成前驱溶液进行润湿性、稳定性及不同衬底热处理实验.成功筛选出制备La2CuMnO6(LCMO)缓冲层薄膜的前驱体,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对化学溶液沉积法(CSD)合成的La2CuMno6薄膜的相组成和形貌结构进行了表征.结果表明,选择合适的前驱体(La(CH3COO)3·1.5H2O、Cu(CH3COO)2·1.0H2O、Mn(CH3COO)2·4.0H2O)及SrTiO3(STO)(100)衬底,在1000℃、保温时间3h、空气气氛及总离子浓度为1.0mol/L工艺条件下制备的La2CuMnO6薄膜具有很好的c轴织构,薄膜表面较平整、均匀、无裂纹、无孔洞,分布均匀且排列致密,完全满足缓冲层对薄膜的要求.

关键词: 化学溶液沉积法 , La2CuMnO6 , 前驱体金属盐 , 衬底 , 筛选 , 缓冲层薄膜 , 制备 , 结构表征

Nd和Mg共掺杂钛酸铋铁电薄膜的电性能研究?

胡增顺 , 晋玉星 , 杨桦

合成材料老化与应用

利用化学溶液沉积法在Pt/Ti/SiO2/Si (100)基底和700℃条件下分别制备了Nd和Mg (不同浓度)共掺杂的钛酸铋薄膜Bi3.15Nd0.85Ti(3-x)Mg2xO12(BNTM)(x=0.00,0.06,0.10和0.14),并进行了这一系列薄膜的包括微结构、介电、铁电和漏电流等特性的研究和对比。发现当Mg含量为x=0.10时,薄膜具有较高的剩余极化强度(2Pr=33.40μC/cm2)和介电常数(ε=538,频率为1kHz),其漏电流密度为10-8A/cm2。讨论了相关的物理机制。

关键词: 铁电薄膜 , 共掺杂 , BNTM , 化学溶液沉积法

CSD法在亲水性的FTO基板上制备BiFeO3薄膜及其电性能的研究

程蒙 , 谈国强 , 夏傲 , 任慧君 , 王艳

功能材料

利用化学溶液沉积法在亲水性的FTO基板上制备BiFeO3薄膜。利用XRD、FE-SEM、XPS、Agi-lent E4980A精密LCR仪及TF-Analyzer2000等分析手段对BiFeO3薄膜进行表征。结果表明,薄膜为纯相的结晶良好的多晶BiFeO3薄膜,由100~300nm的BiFeO3晶粒紧密的堆积而成,表面均匀平整。薄膜厚度为450nm。Fe的氧化态为Fe3+,并没有Fe2+出现。在10kHz时,介电常数和损耗分别为134和0.005。薄膜的剩余极化率为0.58μC/cm2,在0~250kV/cm的测试电场下漏导电流步伐保持在10-6 A/cm2以下。

关键词: BiFeO3 , 多铁薄膜 , 化学溶液沉积法 , 亲水性

Bi4Ti3O12铁电薄膜X射线光电子能谱研究

张寅 , 王弘 , 尚淑霞 , 王少伟 , 王民 , 齐尚奎 , 刘希玲

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.02.015

本文采用化学溶液沉积(CSD)工艺在Si(100)衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜,这种薄膜的X射线衍射(XRD)结果显示其具有较好的结晶性.运用X射线光电能谱仪(XPS)对薄膜的结构进行了研究,分析结果表明,衬底中Si向镀在其上的Bi4Ti3O12膜层内扩散,影响扩散的主要因素是膜厚及退火温度.

关键词: 铁电薄膜 , 化学溶液沉积法 , X射线光电子能谱 , Si扩散

化学溶液沉积法制备涂层导体阻隔层用钨盐前驱体的制备和筛选

杨伟波 , 张国防 , 马高峰 , 李成山 , 阎果 , 卢亚锋

材料导报

制备了[(n-C4H9)4N]2[W6O19]、过氧钨酸衍生物(APTA)和[(n-CBH17)2NH2]2[W4O13]3种有机钨盐,研究了这几种盐在不同溶剂中的溶解性、溶液的稳定性以及在钇稳定氧化锆(YSZ)基片上的润湿性.研究发现:[(n-C8H17)2NH2]2[W4O13]在丙酸中具有溶解性良好、溶液稳定性高及润湿性好的特点,而且与其它金属盐前驱体在丙酸中的配伍性好.因此,选择[(n-C8H17)2NH2]2[W4O13]作为钨盐的前驱体,使我们尝试用化学溶液沉积法制备涂层导体的钨基双钙钛矿薄膜阻隔层成为可能.

关键词: 涂层导体阻隔层 , 化学溶液沉积法 , 钨盐前驱体 , 制备 , 筛选

化学溶液沉积法制备Nd和Sc/Al/( Sc,Al)共掺杂钛酸铋铁电薄膜的电性能研究

胡增顺 , 杨桦 , 晋玉星

材料导报

利用化学溶液沉积法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底和700℃条件下分别制备了Nd和Sc/Al/( Sc,Al)共掺杂的钛酸铋薄膜Bi3.15 Nd0.85 Ti2.94 Sc0.06O12 (BNTSc)、Bi3.15 Nd0.85 Ti2.94 Al0.06O12(BNTAl)和Bi3.15Nd0.85 Ti2.94(Sc0.03,Al0.03)O12(BNT(Sc,Al)),并研究和对比了这一系列薄膜的微结构、介电、铁电和漏电流等特性.结果发现BNT( Sc,Al)薄膜具有较高的剩余极化强度和介电常数,其漏电流密度低于BNTAl薄膜.另外,还讨论了相关的物理机制.

关键词: 铁电薄膜 , 共掺杂 , BNT(Sc,AJ)薄膜 , 化学溶液沉积法

Bi2Ti2O7薄膜制备及 Bi2Ti2O7绝缘栅场效应管研制

肖卓炳 , 吴显明 , 王少伟 , 王弘 , 王卓 , 尚淑霞 , 王民

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.02.013

采用化学溶液沉积法,以硝酸铋和钛酸四丁酯为原料成功地制备了 Bi2Ti2O7介质膜。制膜过 程简单,成本低廉,得到的薄膜具有良好的绝缘性和较高的介电常数,用其制备的绝缘栅场效应管 与相同尺寸的 SiO2绝缘栅场效应管相比,具有较高的跨导和较低的开启电压。

关键词: 化学溶液沉积法 , Bi2Ti2O7薄膜 , 介电常数 , 绝缘栅场效应管

高分子辅助化学溶液沉积法制备高温超导涂层导体BaZrO3(BZO)缓冲层的研究

张欣 , 王文涛 , 张敏 , 张勇 , 张酣 , 雷鸣 , 赵勇

功能材料

采用高分子辅助化学溶液沉积法,在Sr-TiO3(STO)单晶基底上制得了一系列高温超导涂层导体BaZrO3(BZO)缓冲层。研究结果表明,不同高分子辅助沉积的BZO缓冲层其形貌和织构差异较大。利用聚乙烯醇缩丁醛(PVB)辅助制得BZO缓冲层表面更加平整致密,无裂纹存在,并具有优异的双轴织构。通过台阶仪测试该BZO缓冲层的膜厚,结果显示膜厚超过250nm。

关键词: 高分子辅助 , 化学溶液沉积法 , 涂层导体 , BaZrO3缓冲层

化学溶液沉积法制备涂层导体SmBiO3(SBO)缓冲层的研究

张欣 , 蒲明华 , 张红 , 雷鸣 , 张勇 , 赵勇

低温物理学报

通过740-820℃之间进行低温成相,分别在氩气和空气中LaAlO3(LAO)单晶基底上沉积得到了有较大应用前景的涂层导体SmBiO3(SBO)缓冲层.740-800℃所得的缓冲层c轴取向良好,致密、平整、无裂纹.当温度达到820℃时,SBO表面开始出现裂缝.SBO薄膜的相组成和微结构利用XRD和SEM进行分析.研究结果表明,在Ar气氛中和空气中适宜于SBO薄膜生长的最佳温度都在770-800℃附近,在此条件下可以制备出表面平整致密SBO薄膜.

关键词: 化学溶液沉积法 , 涂层导体 , SmBiO3缓冲层

c轴取向的M-型SLFCO铁氧体薄膜的制备及磁性能

訾振发 , 吕建国 , 刘红艳 , 方林 , 刘强春 , 朱雪斌 , 戴建明

功能材料

采用化学溶液沉积法在Al2O3(001)单晶衬底上制备SLFCO铁氧体薄膜,XRD谱表明样品具有c轴取向的单相结构,空间群为P63/mmc;AFM结果表明样品颗粒呈柱状,平均颗粒尺寸在50~100nm之间。SLFCO铁氧体薄膜具有高的室温饱和磁化强度(130A/m),矫顽力(549.24kA/m)和大的矩形比(0.9),这些性能表明SLFCO铁氧体薄膜是一种非常有潜在应用价值的高密度磁记录材料。

关键词: SLFCO铁氧体薄膜 , 化学溶液沉积法 , 磁各向异性

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