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SiO2/CdS光子晶体的制备及其光学性能

蔡小梅 , 陈福义 , 介万奇

功能材料

用化学浴沉淀法(CBD)在SiO2胶体晶体中生长了CdS半导体材料, 并用UV-VIS-NIR光谱仪和荧光光分度计测试了其光学性能.测试结果表明,在SiO2胶体晶体中随着CdS填充量的增加,光子带隙向长波段方向移动且变宽;当发射出的光与基体材料的光子带隙相匹配时,可控制半导体材料的光致发光,同时,可通过控制SiO2胶体颗粒粒经的大小来调节CdS的光致发光性能.

关键词: 光子晶体 , 化学浴沉淀 , 光子带隙 , 光致发光