王智平
,
赵静
,
王克振
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.01.014
采用化学水浴法,在醋酸镉、硫脲、氨水、醋酸铵的体系中制备CdS薄膜,设计L2556正交实验,研究了各沉积参数对前驱物利用率的影响.结果表明,随前驱物醋酸镉、硫脲各自浓度的增加,其自身的利用率下降,但另一方的利用率上升.前驱物的利用率随络合剂醋酸铵浓度的增加先增大后减小,随氨水浓度的增加先减小后增大；其利用率随反应条件温度的增大先增大后保持稳定,随转速的加快先保持稳定后降低,最后又小幅度上升.正交实验表明,当醋酸镉、硫脲、醋酸铵、氨水的浓度分别为2、14、30、400mM/L,温度为70℃,转速为200r/min时,前驱物醋酸镉与硫脲的综合利用率最高.
关键词:
化学水浴沉积(CBD)
,
CdS薄膜
,
饱和厚度
,
前驱物利用率
刘琪
,
冒国兵
,
敖建平
功能材料
采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,通过XRD、XRF、SEM和光学透过率谱等测试手段研究了沉积时间对CdS薄膜沉积过程和性质的影响.结果表明,随着沉积时间的增加,薄膜增厚;S/Cd原子比增加,但都为富Cd的CdS薄膜;XRD研究表明,薄膜结构由立方、六方混合相向立方相转变,(111)方向成为择优生长方向;SEM研究表明,随沉积时间增加,薄膜变致密,薄膜表面出现的白色附着颗粒增多,尺寸增大;沉积时间对薄膜的光学性质也有很大的影响,随着沉积时间的增加薄膜透过率减小,而禁带宽度值增大.
关键词:
化学水浴沉积(CBD)
,
CdS薄膜
,
沉积时间
,
Cu(In,Ga)Se2太阳电池
刘琪
,
冒国兵
,
敖建平
功能材料
采用不同络合剂化学水浴沉积ZnS薄膜,应用台阶仪、SEM、XRD、波谱仪等手段测定了ZnS薄膜的厚度、表面、物相结构及透过率等.结果表明,氨水体系沉积薄膜速度明显慢于另外两种体系,沉积的ZnS薄膜都为立方结构.柠檬酸钠体系沉积的ZnS 薄膜结晶和透过率最佳,但薄膜表面缺陷较多;氨水-联氨体系沉积的ZnS薄膜表面质量最佳,结晶和透过率也较好;氨水体系沉积的ZnS薄膜质量较差.用3种体系沉积的ZnS薄膜用于制备铜铟镓硒Cu(In,Ga)Se2太阳电池,氨水和氨水-联氨体系沉积的ZnS薄膜制备的电池转换效率明显高于柠檬酸钠体系沉积的ZnS制备的太阳电池.
关键词:
化学水浴沉积(CBD)
,
络合剂
,
ZnS薄膜
,
Cu(InGa)Se2太阳电池
崔岩
,
介万奇
,
高俊宁
,
查钢强
,
何鉴波
功能材料
重点考察了化学水浴沉积法(CBD)制备CdS多晶薄膜时pH值对薄膜质量的影响规律.分别采用SEM、XRD、UV光谱仪和台阶仪研究了薄膜的表面形貌、晶体结构、透过率和厚度特征.研究表明,当pH值在8.43～10.09间变化时,薄膜为立方晶型,随着pH值的降低,晶粒出现择优生长,薄膜透过率逐渐升高,吸收边蓝移,禁带宽度增大.当pH值为8.43时得到的薄膜光学禁带宽度为2.44eV,接近其本征值.
关键词:
CdS薄膜
,
化学水浴沉积(CBD)
,
太阳能电池
