李寒松
,
李焕勇
人工晶体学报
本文采用化学气相输运(CVT)法,由Zn(5N)和Se(5N)一步直接生长了片状ZnSe单晶,并对其结构特性和光电性能进行分析.研究表明,生长出的ZnSe单晶仅显露(111)面,红外透过率约为40％ ～42％,具有较高的结晶质量.该ZnSe单晶可与In电极形成良好的欧姆接触,其体电阻率约为7.3 ×l09 Ω·cm.
关键词:
化学气相输运法
,
ZnSe单晶
,
光电特性
,
透过率
,
电阻率
刘翠霞
,
坚增运
,
朱满
材料导报
采用化学气相输运法,以单质Zn和Se为原料生长ZnSe晶体.比较了加碘(Zn-Se-I2)和未加碘(Zn-Se)两种情况下产物的特征,借助XRD和SEM检测仪器对所生长的ZnSe晶体的结构、形貌和成分进行了分析.结果表明,加入碘后生长的ZnSe晶体为橙黄色,具有较好的结晶性能,晶格常数为5.668nm,Zn与Se的化学成分比为1∶1,没有其它杂质峰;未加碘的产物为多孔状陶瓷,说明加碘可以明显提高ZnSe的结晶性能,解决了一致升华范围较窄的限制条件,避免了ZnSe生长动力学的限制,因此可以获得理想化学计量比的ZnSe晶体.
关键词:
ZnSe晶体
,
化学气相输运法
,
晶体结构
,
形貌
刘翠霞
,
坚增运
,
罗贤
,
王宇鹏
稀有金属材料与工程
采用I2作为输运剂,以单质Zn和Se为原料运用化学气相输运法制备了ZnSe晶体.比较了不同I2含量下所生长ZnSe晶体的性能,借助XRD、SEM和EDS检测方法分析了ZnSe晶体的结构、形貌和成分.结果表明:I2含量对ZnSe晶体性能具有重要的影响,通过比较3组I2含量所制备的ZnSe晶体,确定出当I2含量为4 mg/cm3时,所生长的ZnSe晶体具有较好的结晶质量,其晶格常数为5.668 nm.测定ZnSe中Zn与Se的原子分数比为1∶0.99,且只有1个衍射峰(2θ=27.2°),其晶面指数为(111).SEM图像表面比较平滑,没有明显气孔.在此条件下,ZnSe晶体的红外透过性能最好,红外透过率为53.07％～62.61％.其他两种I2含量下所生长的ZnSe晶体结晶质量较差,XRD图谱显示有多个衍射峰,SEM图像表面凹凸不平,有明显气泡和孔洞,并且其红外透过率较低.
关键词:
ZnSe晶体
,
化学气相输运法
,
碘输运剂
李志强
,
徐丽云
,
赵起
,
郑一博
,
韦志仁
,
侯志青
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2007.06.034
采用化学气相输运法,研究了在蓝宝石基片上大比例掺杂Co生成的ZnO晶体形貌.分别选用Co2O3与ZnO的质量比3%、5%、7%、15%、20%5种不同含量的样品,通过电子显微镜发现得到的晶体呈六棱结构,一般显露柱面m{1010}、正锥面p{1011}、负极面c{0001}和正极面c{0001},随着Co掺入量的增加得到的Zn1-xCoO晶体表面趋于光滑,晶体六棱结构趋于不对称,锥面面积减小,极性生长特性减弱.Zn1-xCoxO晶体的X射线能谱图显示Co的掺入量与原料配比中Co的量几乎成正比,Co可以大比例掺入ZnO晶体中.
关键词:
化学气相输运法
,
蓝宝石
,
Zn1-xCoxO晶体
