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低介电常数含氟氧化硅薄膜的研究

综述了近十年来低介电常数含氟氧化硅薄膜的研究状况,详细介绍了该薄膜在化学键结构、热性质、湿稳定性以及介电常数四个方面的特性,同时也简单介绍了薄膜的台阶覆盖度、填隙能力和漏电流特性,指出含氟氧化硅薄膜是一种可用于集成电路中的极富应用前景的低介电常数材料.

关键词: 含氟氧化硅 , 薄膜 , 低介电常数 , 化学气相淀积

金刚石薄膜低压气相生长条件的理论预测

万永中 , 张卫 , 刘志杰 , 王季陶

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.02.001

基于非平衡热力学耦合模型计算得到三元体系中生长金刚石的等温、等压及竖直截面相图.这些相图中的金刚石生长区的形状和大小随温度、压力及氧含量等条件的改变而变化.高温时,金刚石生长区变小直至消失;中等温度时生长区最大;低温时又变小.压力的升高促使金刚石生长区变大.氧的加入总是引起需要更多的碳并使金刚石生长区向温度降低的方向移动.

关键词: 金刚石薄膜 , 相图 , 化学气相淀积 , 生长条件

射频输入功率对类金刚石薄膜性能的影响

齐海成 , 冯克成 , 杨思泽

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2009.03.015

为了得到类金刚石薄膜的性质和制备参数之间的对应关系,利用射频等离子体增强化学气相淀积在单晶硅的(100)面上制备了类金刚石薄膜,反应气体是甲烷和氢气的混合气.研究了射频源的输入功率对类金刚石薄膜性能的影响.采用Raman光谱、X射线光电子能谱、原子力显微镜和纳米压痕仪对薄膜的微观结构、表面形貌、硬度和弹性模量进行了研究,结果表明:制备的薄膜具有典型的不定型碳的结构特征、薄膜致密均匀,随着入射功率的提高,薄膜的sp3含量、硬度以及弹性模量先增加后减小,并且在100W时达到最大值,在400W时薄膜出现碳化.

关键词: 类金刚石 , 射频等离子体 , 化学气相淀积 , X射线光电子能谱

多孔Al2O3陶瓷膜的修饰及其蒸汽分离性能的研究

潘铭 , 孟广耀 ,

膜科学与技术 doi:10.3969/j.issn.1007-8924.2000.01.002

采用原子层控制生长化学气相淀积方法对多孔γ-Al2O3陶瓷膜进行缩孔修饰研究.多孔陶瓷膜表层孔中淀积的Al2O3大大减小了薄膜的孔径.用缩孔修饰后的γ-Al2O3陶瓷膜进行水蒸气分离实验,获得极好的分效果,相对湿度为12%时,水蒸气与氧气的分离系数达到71.

关键词: 多孔陶瓷膜 , γ-Al2O3 , 化学气相淀积 , 缩孔修饰 , 蒸汽分离

蓝宝石衬底上6H-SiC单晶薄膜的化学气相淀积生长

孙澜 , 陈平 , 韩平 , 郑有炓 , 史君 , 朱嘉 , 朱顺明 , 顾书林 , 张荣

功能材料

采用低压化学气相淀积方法以相对较低的生长温度(900～1050℃)在蓝宝石(0001)衬底上外延生长了6H-SiC单晶薄膜.其晶体质量和结构由X射线衍射谱和喇曼散射谱的测量结果得到确定.俄歇电子能谱和X射线光电子能谱的观察表明所制备的6H-SiC薄膜中的Si-C键的结合能为181.4eV,Si与C的原子比符合SiC的化学配比.扫描电子显微镜的分析显示6H-SiC外延层和蓝宝石衬底间的界面相当平整.由紫外及可见光波段吸收谱的结果得到所生长的6H-SiC的禁带宽度为2.83eV、折射系数在2.5～2.7之间,均与6H-SiC体材料的相应数据一致.

关键词: 化学气相淀积 , 6H-SiC , 蓝宝石 , 低温生长

含氮体系CVD低压金刚石薄膜淀积条件

刘志杰 , 张卫 , 张剑云 , 万永中 , 王季陶

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.01.019

根据非平衡热力学耦合模型理论首次计算得到了碳氢氮体系的金刚石生长的非平衡定态相图与近几年在国际上发表的该体系实验结果相符合,可以为今后的实验研究提供定量化的理论依据.根据理论相图讨论了系统压力和体系中氮的添加对金刚石薄膜淀积条件的影响.

关键词: 金刚石 , 相图 , 化学气相淀积 , 氮 , 薄膜

C-H-N体系生长金刚石薄膜

万永中 , 张志明 , 沈荷生 , 何贤昶 , 张卫 , 王季陶

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.06.002

通过热力学分析从理论计算上给出了C-H-N体系中低压生长金刚石的三元相图.该相图中存在金刚石生长区.不同温度和压强下金刚石生长区几乎都位于CH4-N连线以下,并且随衬底温度的改变而有显著的变化.随着氮含量的增加,金刚石生长区向碳含量减少的方向移动.使用该相图对优化添加含氮气源生长金刚石的实验条件提供了理论依据.

关键词: 金刚石 , 含氮气源 , 相图 , 化学气相淀积

氢化非晶硅的红外光谱及氢释放的研究

李牧菊 , 杨柏梁 , 朱永福 , 袁剑峰 , 刘传珍 , 廖燕平 , 吴渊

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.03.007

用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)制备了氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)并进行了退火实验,利用红外吸收光谱(IR)和金相显微镜研究薄膜中的氢含量及退火前后的脱氢现象,得出材料组成及热稳定性对衬底温度Ts和射频功率Prf的依赖关系.

关键词: 非晶硅 , 化学气相淀积 , 红外光谱 , 金相显微

Si1-yCy合金薄膜中替位式C组分随生长温度的变化

王荣华 , 韩平 , 王琦 , 夏冬梅 , 谢自力 , 张荣

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.z1.002

用化学气相淀积方法,以乙烯为碳源、硅烷为硅源,在si(100)衬底上外延生长了替位式C组分达1.22%的Si1-yCy合金薄膜,研究表明:处于替位式格点位置的C原子与Si原子成键,形成Si-C局域振动模;随着生长温度的降低,更多具有较低迁移率的C原子占据替位式格点,导致合金薄膜中的替位式C组分增加、间隙式缺陷减少,薄膜的晶体质量得到有效提高;相应地薄膜承受的张应力增大,外延层中Si(TO)声子模发生蓝移.

关键词: 化学气相淀积 , Si1-yCy合金薄膜 , Si-C局域振动模

生长温度对Si1-xGex:C合金薄膜性质的影响

夏冬梅 , 王荣华 , 王琦 , 韩平 , 谢自力 , 张荣

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.z1.006

用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上制备Si缓冲层,继而外延生长Ge组分渐变的si1-xGex:C合金薄膜.研究表明,较低的Si缓冲层或Si1-xGex:C外延层生长温度均不利于获得理想的Si1-x,Gex:C合金薄膜,仅在Si缓冲层和sil一,Ge,:c外延层的生长温度均为750℃时可以获得质量较高、组分均匀的Si1-xGex:C合金薄膜.本文通过对材料结构及表面形貌的分析研究了缓冲层和外延层的生长温度对Si1-xGex:C合金薄膜性质的影响.

关键词: 化学气相淀积 , Si1-xCex:C合金薄膜 , 生长温度

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