李炎
,
刘玉岭
,
李洪波
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唐继英
,
樊世燕
,
闫辰奇
,
张金
电镀与涂饰
介绍了一种用于铜膜化学机械抛光的多元胺醇型非离子表面活性剂。研究了该表面活性剂对抛光液表面张力、黏度、粒径、抛光速率和抛光后铜的表面状态的影响。抛光液的基本组成和工艺条件为：SiO20.5%，H2O20.5%，FA/OII 型螯合剂5%(以上均为体积分数)，工作压力2 psi，抛头转速60 r/min，抛盘转速65 r/min，抛光液流量150 mL/min，抛光时间3 min，抛光温度21°C。结果表明，微量表面活性剂的加入能显著降低抛光液的表面张力并大幅提高抛光液的稳定性，但对静置24 h后抛光液黏度的影响不大。表面活性剂含量为0%~2%时，随其含量增大，化学机械抛光速率减小，抛光面的粗糙度降低。
关键词:
铜
,
化学机械抛光
,
非离子表面活性剂
,
表面张力
,
黏度
,
粒径
刘效岩
,
刘玉岭
,
梁艳
,
赵之雯
,
胡轶
,
赵东磊
功能材料
纳米SiO2是一种性能优越的功能材料,化学机械抛光(CMP)过程的精确控制在很大程度上取决于对纳米SiO2功能的认识.但是目前对碱性纳米SiO2在CMP过程中的功能还没有完全弄清楚,探讨它在CMP中作用是提高CMP技术水平的前提.纳米SiO2溶胶的表面效应使其表面存在大量的羟基,在CMP过程中纳米SiO2表面羟基与碱反应生成硅酸负离子,硅酸负离子再与硅反应来降低纳米SiO2的表面能量,同时达到除去硅的目的.综上所述,碱性纳米SiO2在CMP的过程中不仅起到了磨料的作用,同时参加了化学反应,在此基础上提出了在碱性条件下纳米SiO2与硅的反应机理.
关键词:
纳米SiO2溶胶
,
化学机械抛光
,
表面效应
,
pH值
,
化学反应模型
王金普
,
白林山
,
储向峰
人工晶体学报
利用自制的抛光液对硬盘微晶玻璃基板进行化学机械抛光.研究了抛光压力、SiO2浓度、pH和氧化剂过硫酸铵浓度等因素对材料去除速率MRR和表面粗糙度Ra的影响,系统分析了微晶玻璃抛光工艺过程中的影响因素,优化抛光工艺条件,利用原子力显微镜检测抛光后微晶玻璃的表面粗糙度.结果表明:当抛光盘转速为100 r/min、抛光液流量为25 mL/min、抛光压力为9.4 kPa、SiO2浓度为8wt％、pH=8、过硫酸铵浓度为2wt％时,能够得到较高的去除速率(MRR=86.2 nm/min)和较低表面粗糙度(Ra=0.1 nm).
关键词:
微晶玻璃
,
化学机械抛光
,
表面粗糙度
,
材料去除率
梁庆瑞
,
胡小波
,
陈秀芳
,
徐现刚
,
宗艳民
,
王希杰
人工晶体学报
研究了一种新型的化学机械抛光方法,使用以KMnO4作为氧化剂的强氧化性化学机械抛光液(SOAS)进行化学机械抛光.研究了在4H-SiC硅面和碳面的化学机械抛光过程中,SOAS溶液中KMnO4的浓度对抛光质量的影响.使用原子力显微镜(AFM)和精密电子天平,分别测试了表面粗糙度和去除率.结果表明,适量的KMnO4可以大幅度提高4H-SiC的化学机械抛光去除率,同时可提高4H-SiC衬底的表面抛光质量.
关键词:
碳化硅
,
化学机械抛光
,
高锰酸钾
,
粗糙度
,
去除率
刘军
,
宋晓岚
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2012.01.015
由于具有抛光速率快、选择性好、自动停止等特点,二氧化铈浆料被广泛用于材料的表面抛光处理,但抛光机理研究的相对滞后严重制约其物化改性和推广.针对这一现状,本文介绍了二氧化铈浆料抛光过程中的物理作用及化学作用,总结了化学机械抛光机理,并对今后研究方向提出了展望.
关键词:
二氧化铈
,
抛光机理
,
物理作用
,
化学作用
,
化学机械抛光
李岩
,
康仁科
,
高航
,
吴东江
,
王可
人工晶体学报
本文采用新型的自行研制的化学机械抛光液,对碲锌镉晶体进行了化学机械抛光方法的尝试性试验,并分析了在化学机械抛光(CMP)过程中抛光垫的硬度、磨料的种类、氧化剂、抛光液的pH值对表面质量和材料去除率的影响,提出适合软脆功能晶体碲锌镉的高效低损伤抛光工艺.结果表明,采用自行研制的带有硝酸的化学机械抛光液,在pH优化值为2.5时,15 min即可获得Ra为0.67 nm的超光滑无损伤表面,大大提高了加工效率和精度.
关键词:
碲锌镉
,
化学机械抛光
,
抛光垫
,
氧化剂
于江勇
,
刘玉岭
,
牛新环
,
李英的
,
夏显召
功能材料
分析了混合磨料在蓝宝石衬底化学机械抛光(CMP)过程中的作用机理,并对比了SiO2水溶胶磨料和SiO2与Al2O3混合磨料对蓝宝石衬底去除速率的影响.研究表明,在主磨料SiO2水溶胶中加入浓度为20mL/L同粒径纳米级的Al2O3可以使CMP过程中的化学作用与机械作用达到相互平衡,使抛光去除速率得到明显提高.在距抛光终点5～10min通过调整工艺参数与抛光液配比,使表面粗糙度由2.32nm降至0.236nm.
关键词:
蓝宝石衬底
,
化学机械抛光
,
混合磨料
,
去除速率
熊伟
,
储向峰
,
董永平
,
毕磊
,
叶明富
,
孙文起
人工晶体学报
本文制备了几种含不同磨料(SiC、Al2O3不同粒径SiO2)的抛光液,通过纳米粒度仪分析磨料粒径分布,采用原子力显微镜观察磨料的粒径大小.研究了不同磨料对蓝宝石晶片化学机械抛光(CMP)的影响,利用原子力显微镜检测抛光前后蓝宝石晶片表面粗糙度.实验结果表明,在相同的条件下,采用SiC、Al2O3作为磨料时,材料去除速率与表面粗糙度均不理想；而采用含1％粒径为110 nm SiO2的抛光液,材料的去除速率最高为41.6 nm/min,表面粗糙度Ra=2.3 nm；采用含1％粒径为80 nm SiO2的抛光液,材料的去除速率为36.5 nm/min,表面粗糙度最低Ra=1.2 nm.
关键词:
蓝宝石
,
化学机械抛光
,
去除速率
,
表面粗糙度
,
磨料
