曹阳
,
刘玉岭
,
王辰伟
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.增刊(Ⅰ).011
采用自主研发的碱性铜抛光液,使用前稀释50倍加入不同剂量 H2 O2配制成碱性铜精抛液。实验结果表明,随着 H2 O2含量的增加,铜的静态腐蚀速率(CuDR)、抛光速率(CuPR)以及阻挡层 Ta/TaN 均有小幅度的降低,但在 MIT854布线片上精抛实验结果表明,碟形坑随着 H2 O2含量的增加逐渐降低,加入5％(体积分数)H2 O2的精抛液,在粗抛实现初步平坦化后,精抛去除残余铜的过程中,能够实现不同线条尺寸的完全平坦化,碟形坑在工业要求范围内。研究结果表明,H2 O2含量的增加对速率影响不明显,但有利于铜布线片的平坦化。此规律对提高 CMP 全局平坦化具有极重要的作用。
关键词:
化学机械平坦化
,
碱性铜精抛液
,
双氧水
,
碟形坑
,
残余铜
王辰伟
,
刘玉岭
,
蔡婷
,
马锁辉
,
曹阳
,
高娇娇
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.24.018
对自主研发的多羟多胺络合剂(FA/O )在硅通孔技术(Through-silicon-via,TSV)化学机械平坦化(chemical mechanical planarization,CMP)进行了应用研究。结果表明,FA/O 络合剂较其它常用络合剂在碱性CMP 条件下对铜有较高的去除速率,抛光液中不加FA/O 络合剂时,铜的去除速率仅为45.0 nm/min,少量FA/O 的加入迅速提高了铜膜去除速率,当FA/O 含量为50 mL/L时,铜去除速率趋于平缓。在TSV Cu CMP中应用表明,FA/O 对铜的去除率可高达2.8μm/min,满足微电子技术进一步发展的要求。
关键词:
络合剂
,
TSV
,
化学机械平坦化
,
抛光速率
刘效岩
,
刘玉岭
,
梁艳
,
胡轶
,
刘海晓
,
李晖
稀有金属材料与工程
在低压无磨料条件下,利用碱性FA/O型螯合剂具有极强螫合能力的特性,对铜互连线进行化学机械平坦化,获得了高抛光速率和表面一致性.提出了铜表面低压无磨料抛光技术的平坦化原理,在分析了抛光液化学组分与铜化学反应机理的基础上,对抛光液中的主要成分FA/O型螯合剂、氧化剂的配比和抛光工艺参数压力、抛光机转速进行了研究.结果表明:在压力为6.34 kPa和抛光机转速为60 r/min时,抛光液中添加5％螯合剂与1％氧化剂(体积分数,下同),抛光速率为1825 nm/min,表面非均匀性为0.15.
关键词:
铜互连线
,
无磨料
,
低压
,
FA/O型螫合剂
,
化学机械平坦化
陈杨
,
汪亚运
,
秦佳伟
材料研究学报
以正硅酸乙酯为硅源、以氨水为催化剂、十六烷基三甲基溴化铵为结构导向模板剂,在单分散实心氧化硅(Solid-SiO2,sSiO2)内核表面包覆介孔氧化硅(Mesoporous-SiO2,MSiO2)外壳,合成了同质异构氧化硅(sSiO2/MSiO2)核/壳复合磨粒.用小角XRD、FESEM、HRTEM、FTIR、TGA和氮气吸附-脱附等手段对样品的结构进行了表征.结果表明,具有放射状介孔孔道的MSiO2均匀连续包覆在sSiO2内核(210-230 nm)外表面,形成了厚度为70-80 nm的外壳.壳层中的介孔孔道(孔径约2-3 nm)基本垂直于内核表面,且复合磨粒样品具有较大的比表面积(558.2 m2/g).用AFM形貌分析和轮廓分析评价了所制备的复合磨粒对SiO2薄膜的抛光特性.与常规实心SiO2磨粒相比,sSiO2/MSiO2复合磨粒明显改善了抛光表面质量并提高了材料去除率.这可能归因于MSiO2壳层通过机械和/或化学方面的作用对磨粒与衬底之间真实界面接触环境的优化.
关键词:
无机非金属材料
,
介孔氧化硅
,
核壳结构
,
复合磨粒
,
化学机械平坦化
张金
,
刘玉岭
,
闫辰奇
,
张文霞
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2017.01.007
在铝栅化学机械平坦化(CMP)中磨料直接影响去除速率和表面粗糙度.采用不同粒径的磨料配置抛光液对铝栅进行CMP实验,对去除速率和表面形貌测试结果进行分析.结果表明,去除速率与参与抛光的磨料颗粒数目和单个颗粒去除速率有关,表面粗糙度与单个磨料颗粒机械作用和抛光后磨料颗粒表面吸附有关,并对抛光液稳定性进行了研究.最终选用粒径70 nm,质量分数为5％的磨料,去除速率可达到181 nm/min,表面粗糙度为9.1nm,对今后铝栅CMP的研究提供了参考.
关键词:
化学机械平坦化
,
去除速率
,
粒径
,
粗糙度
,
高k金属栅极
张金
,
刘玉岭
,
闫辰奇
,
张文霞
,
牛新环
,
孙鸣
电镀与涂饰
采用由2.5％(体积分数,下同)硅溶胶磨料、1.5％ H2O2、0.5％ FA/O型螯合剂和1.0％表面活性剂组成的抛光液对铝栅表面进行化学机械平坦化处理.研究了抛光垫、抛光压力、流量、抛光头转速、抛光垫转速以及抛光后清洗对铝栅表面粗糙度的影响.采用POLITEXTM REG抛光垫,在抛光压力1.5 psi,抛头转速60 r/min,抛光盘转速65 r/min,抛光液流量150 mL/min的条件下,对铝栅抛光后用自主研发的清洗剂清洗,铝栅表面粗糙度最低(2.8 nm),并且无划痕、腐蚀、颗粒残留等表面缺陷.
关键词:
铝栅
,
化学机械平坦化
,
抛光
,
缺陷
,
表面粗糙度
