周艳华
,
杨杰
,
王茺
,
杨宇
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.22.001
为深入理解生长因素及应变对量子点形成的影响,科研工作者采用动力学蒙特卡罗方法对量子点的生长进行了大量研究。简要概括了采用动力学蒙特卡罗法(kinetic monte carlo,KMC)模拟量子点生长的研究进展。主要从模型结构和原子间相互作用势的差异来介绍量子点二维层状生长向三维岛状生长过渡、成核位置、量子点尺寸分布以及量子点形貌转变等内容。此外还简单介绍了图形衬底上有序量子点生长的模拟研究进展,为量子点生长及应用奠定了坚实的基础。
关键词:
动力学蒙特卡罗
,
量子点
,
相互作用势
,
自组织生长
,
图案衬底
周雪飞
,
吴冲
,
唐朝云
,
孔垂岗
,
邱贝贝
,
杨云
,
卢贵武
人工晶体学报
本文以扩散理论为基础,利用KMC模拟方法,考察了温度对薄膜生长速率和表面形貌的影响以及生长表面的粗糙化相变过程.模拟表明,温度升高有利于提高薄膜生长速率,薄膜生长以“成核-岛数增长-岛的长大融合”的方式进行.模拟发现薄膜生长初期存在粗糙化相变过程,当温度低于相变温度时,薄膜分层生长,生长速率较慢；当温度高于相变温度时,薄膜表面粗糙度骤然升高,生长速率加快.
关键词:
动力学蒙特卡罗
,
计算机模拟
,
微观生长机制
,
相变温度
王全彪
,
杨瑞东
,
王茺
,
杨宇
材料导报
建立了Si(100)-(2×1)表面上Si薄膜生长的Kinetic Monte Carlo(KMC)模型,并对薄膜生长的初始阶段进行了研究.结果表明:在一定的入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射率的增大而升高,并满足函数关系T=T0+bln(F+c).
关键词:
Si薄膜生长
,
动力学蒙特卡罗
,
岛密度
,
成岛温度
王全彪
,
杨瑞东
,
杨宇
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.04.016
本文在分析表面扩散各向异性、二聚体和二聚体列影响的基础上,建立了Si(100)-(2×1) 表面上Si薄膜生长的Kinetic Monte Carlo(KMC)模型,利用该模型对薄膜生长的初始阶段进行了研究.结果表明:吸附原子的扩散距离随温度的变化满足指数函数L=L0AeT/C.在一定的入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射率的增大而升高.随入射率的减小,薄膜逐渐从离散生长向紧致生长转变,表面扩散的各向异性越显著.
关键词:
Si薄膜
,
动力学蒙特卡罗
,
扩散距离
,
成岛温度
王全彪
,
杨瑞东
,
杨宇
材料导报
建立了沿Si(100)方向外延生长亚单层Si薄膜的动力学蒙特卡罗模拟模型,对二维Si薄膜的生长过程及二维Si岛的形貌演变进行了研究.结果表明,在一定的入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射率的增大而升高.以最佳成岛温度生长时,岛密度随覆盖度的增加呈现增加-饱和-减小的变化规律.在低温和高入射率下,岛密度随覆盖度单调增加,薄膜呈离散生长.而温度很高和入射率很低时,岛密度始终以很小的数值在小范围内振荡,薄膜呈紧致生长.
关键词:
Si薄膜生长
,
动力学蒙特卡罗
,
岛密度
张玉光
,
唐政
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.20.030
结合第一性原理计算和动力学蒙特卡罗模拟研究了稀磁半导体(Ga,Mn) As中Mn杂质的沉积动力学规律.利用第一性原理计算和爬坡弹性带方法计算了Mn杂质的跃迁势垒和结合能,并把这些能量作为动力学蒙特卡罗模拟(Ga,Mn) As微观结构演化的输入数据.结果表明在外延生长退火下长时间的微观结构演化的背后机制是Ga空位调节Mn原子在Ga子晶格上进行扩散.这种扩散会导致Mn原子的聚集,进而降低了居里温度.此外,随着退火温度的升高Mn团簇聚集的速率也更快.在高温退火下容易导致相分离.
关键词:
稀磁半导体
,
掺杂
,
动力学蒙特卡罗
