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Sn4＋取代对 NiZn 功率铁氧体磁性能的影响

马玉启 , 刘先松 , 冯双久 , 黄鑫 , 黄风

材料工程 doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2015.08.012

采用固相反应法制备化学计量为Ni0．65 Zn0．35 Snx Fe2－ x O4（x＝0．00～0．08）的铁氧体软磁材料。采用XRD、SEM、LCR测试仪、B‐H分析仪对其结构、电磁性能进行研究。结果表明：随Sn4＋取代量 x的增加，晶格常数 a逐渐增大，晶粒尺寸变化不大，饱和磁通密度 Bs 逐渐下降，铁氧体的起始磁导率μi 先上升后下降，功率损耗 Pcv与μi 的变化呈相反趋势。当S n4＋的取代量 x＝0．04时具有最低的功率损耗，且 Pcv随着温度的升高而逐渐降低。

关键词: NiZn功率铁氧体 , Sn4+取代 , 起始磁导率 , 功率损耗

铜铝复合板导电特性的研究

罗奕兵 , 戴晓元 , 张建 , 高超

材料导报

采用数值积分法,分析了在不同电流频率和铜层面积比条件下铜层分布对铜-铝-铜复合板导电特性的影响.当复合导体的断面尺寸和铜层面积一定时,铜层位于窄边时复合板的电阻增大系数小于铜层位于宽边的复合板；随电流频率的增大,这两种复合板的电阻增大系数之差值先逐渐增大而后基本不变；随铜层面积比的增加,铜层位于宽边时复合导体的电阻增大系数呈线性增长,而铜层位于窄边时复合导体的电阻增大系数先逐步减小而后快速增长.

关键词: 铜铝复合 , 矩形导体 , 趋肤效应 , 功率损耗

高导磁纳米晶Fe73.5Cu1Nb2V1Si13.5B9合金的低频损耗行为

张延忠 , 金慧娟 , 施英

金属功能材料 doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2000.02.006

在f＝10～1000Hz及Bm＝0.1～1.0T的范围内,测量了具有高起始磁导率的纳米晶Fe73.5Cu1Nb2V1Si13.5B9合金的总铁损.将总铁损分离为磁滞损耗、经典涡流损耗和过剩损耗之和,我们仔细地考查了每周低频损耗的非线性行为.根据损耗的统计理论,仔细地计算了每周过剩损耗.结果表明,这一理论能很好地描述低频损耗的非线性行为.

关键词: 纳米晶合金 , 功率损耗 , 过剩损耗

掺杂对功率铁氧体磁性能的影响

宋晓敏 , 龚小燕 , 彭声谦 , 邵峰

功能材料

研究了不同的掺杂组合对MnZn功率铁氧体磁性能的影响.并与传统的最常用的CaO-SiO2做了比较.我们还发现Ca、Ta和Nb离子作为一组掺杂,组以适配的工艺条件,可以取得比常用的CaO-SiO2更好的结果.

关键词: 功率损耗 , MnZn铁氧体 , 磁性能

电压倍增之像素设计

陈恒殷 , 蔡志宗 , 黄日锋

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.04.019

为了节省面板电路驱动芯片的功率损耗以及制作成本,本研究提出一种新的像素电路设计,而在设计中将会融合电荷泵电路.利用这种电路设计的像素可有效地将像素电极上的驱动电压提高到输入电压的2～3倍以上.此像素电路设计具有两个优势:第一,可以有效降低显示面板的像素功率损耗;第二,不需高电压的面板电路驱动芯片,因此可节省芯片的成本及功率损耗.由模拟结果可知,像素电极上的驱动电压确实可由此像素电路设计而提高到输入电压的2～3倍以上;而像素的功率损耗也可有效地降低,约为传统像素的1/2.

关键词: 面板像素设计 , 电荷泵 , 功率损耗

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