贾护军
,
杨银堂
,
李跃进
,
柴常春
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.03.029
目前,宽带隙半导体材料SiC在功率MOS器件与电路方面的巨大优势一直没有很好地体现出来,这主要是受到SiC衬底上栅介质绝缘层的质量及界面特性方面的限制.本文在总结比较国际该领域研究现状的基础上,分析了碳元素的存在对介质层质量和界面态密度的影响,指出通过低温沉积氧化层以获得良好的界面质量,并通过高k介质的引入以提高介质层可靠性是今后SiC功率器件与电路研制中比较理想的栅介质制备技术.
关键词:
碳化硅
,
功率器件
,
界面态
,
复合栅介质
朱德忠
,
李建军
工程热物理学报
本文利用红外热像仪测温系统，系统地对三种典型的航天用功率器件进行了测试和分析。研究结果对功率器件可靠性分析具有重要的作用。同时对功率器件进行了数值模拟，在定性方面可为器件的热设计提供改进方向和合理方案。
关键词:
功率器件
,
热测试
,
热分析
,
可靠性
,
数值模拟
杨广辉
,
丘明
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.02.022
低温电力电子技术的发展日益得到重视,主要是由于功率器件(如功率MOSFET和IGBT等)在低温下表现出更好的性能,如更低的通态阻抗,更高的开关频率等.为了实验测试和充分利用功率器件在低温下的这些性能,急需寻找或设计可以在低温下稳定可靠工作的功率器件驱动电路.我们在对目前商业化的驱动芯片进行分析的基础上,从中挑选了三种在低温下进行实验,对其输出波形随温度的变化进行研究,首次发现了可以在-196℃(77K)稳定工作的驱动芯片,其驱动性能基本能够满足低温下驱动功率器件的要求,为功率器件低温特性测试及低温功率变换电路的设计奠定了坚实的基础.
关键词:
低温电力电子
,
功率器件
,
驱动电路
