王晓静
,
张辰
,
张焱
,
冯庆荣
,
王越
低温物理学报
近来超薄MgB2薄膜被认为在研制新型超导电子器件方面具有比较重要的应用前景,对其超导特性的研究同时对理解低维度情形下的多带超导电性也有重要意义.在(0001)Al2O3衬底上,我们利用混合物理化学气相沉积方法生长了一系列厚度在50 nm至10 nm的MgB2超导薄膜,测量了薄膜的电阻率—温度曲线及其在不同磁场下的超导转变,考察了薄膜的基本特性参数如超导转变温度Tc、剩余电阻比RRR及超导上临界磁场Hc2等随薄膜厚度d的变化.测量发现H2 (T)随温度变化呈现出线性依赖关系,反映出MgB2薄膜的两带超导特性.随着d的降低,发现薄膜的Tc及RRR值逐渐下降,0K时的H2(0)逐渐升高.进一步地,我们发现薄膜的Tc与Hc2(0)都随RRR值呈现出比较单调的变化:Tc随RRR值降低而降低,Hc2(0)随RRR值降低而升高,表明RRR值是影响薄膜超导特性的比较重要的变量.依照两带超导理论对此现象的分析表明,与薄膜的RRR值降低相伴随的可能是MgB2薄膜内σ带电子和π带电子的带间散射率的增强.
关键词:
MgB2
,
超导薄膜
,
HPCVD法
,
剩余电阻比
,
上临界磁场
,
两带超导电性
,
带间散射
王洪涛
,
郑毅
,
陈学枝
,
许祝安
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2003.03.005
用气相输运法制备了准一维结构的NbSe3单晶,并研究了其剩余电阻率与杂质的关系.在电子扫描电镜(SEM)下观测了NbSe3单晶的表面形貌,未见亚微米尺寸的缺陷.NbSe3单晶的电阻温度与温度的关系(ρ-T)曲线表明,NbSe3样品分别在Tp1＝145 K和Tp2＝57 K经历两次Peierls相变,剩余电阻比RRR高于200.根据对不同样品的ρ-T曲线的研究指出,以前的文献用剩余电阻比估计杂质浓度ni的方法是一个错误,并提出了改进措施.
关键词:
材料科学基础学科
,
Peierls相变
,
NbSe3单晶
,
剩余电阻比
,
电荷密度波
,
杂质浓度
