张麦丽
,
王秀峰
,
牟强
,
张方辉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.01.004
将光刻胶涂敷在带有ITO薄膜的玻璃表面上,利用紫外光对其进行光刻,通过金相显微镜观察刻蚀后的ITO表面形貌,定性地讨论各个工艺的不同对刻蚀后的电极的影响,得到最佳清洗工艺为:洗涤剂棉球擦洗,然后分别用丙酮、蒸馏水超声清洗两次,烘干;对于正性光刻胶RZJ-390PG,最佳实验效果的曝光时间为5 min;最佳显影时间为2 min;最佳刻蚀时间为6 min,为OLED得到精细阳极奠定了基础.
关键词:
ITO
,
光刻
,
曝光时间
,
显影时间
,
刻蚀时间
史高飞
,
沈奇雨
,
许徐飞
,
宋洁
,
赵娜
,
韩基挏
,
李乘揆
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153002.0257
在薄膜晶体管液晶显示器件(TFT-LCD)的制作过程中,Mura 是一种常见的不良现象,它可以直接影响到产品的画面品质.本文结合生产工艺的实际情况,采用宏观微观检查设备 Macro/Micro(M/M)、扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子束测试仪(FIB)等设备进行检测分析,研究了产品开发过程中出现的 Sand Mura 问题.实验结果表明,Sand Mura发生的主要原因是像素电极 ITO 在刻蚀过程中由于过刻发生断裂,导致在通电时该处液晶分子偏转发生异常,进而阻挡了光的透过而形成暗点；通过变更 ITO 薄膜的厚度及刻蚀时间等一系列措施,防止了像素电极在 PVX 过孔处因过刻引起的断裂,不良发生率降至0．3％,产品质量得到了很大的提高.此外,过孔设计优化方案有助于新产品开发阶段避免该不良的发生,为以后相关问题的研究奠定了一些理论基础.
关键词:
TFT-LCD
,
Sand Mura
,
过刻
,
厚度
,
刻蚀时间
郭婷
,
左潇
,
郭鹏
,
李晓伟
,
吴晓春
,
谢仕芳
,
汪爱英
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2017.04.024
目的 研究不同等离子体刻蚀工艺对基体和四面体非晶碳膜(ta-C)的影响,并进一步考察不同电弧等离子体刻蚀时间对ta-C薄膜结构的影响.方法 采用自主设计研制的45°单弯曲磁过滤阴极真空电弧镀膜设备,进行不同等离子体刻蚀以及ta-C薄膜的沉积.使用等离子体发射光谱仪表征离子种类及其密度,使用椭偏仪表征薄膜厚度,原子力显微镜表征刻蚀后的基体粗糙度,拉曼光谱仪和XPS表征薄膜结构,TEM分析薄膜的膜基界面结构.结果 辉光刻蚀工艺中,作用的等离子体离子以低密度的Ar离子为主;而电弧刻蚀时,作用的等离子体离子为高密度的Ar离子和少量的C离子,并且能够在基体表面形成约15 nm的界面层,并实现非晶碳膜(a-C)的预沉积.随电弧等离子体刻蚀时间增加,ta-C薄膜的sp3含量有所降低.结论 相比于辉光刻蚀,电弧刻蚀利于制备较厚的ta-C薄膜.这主要是因为电弧刻蚀时,基体表面形成良好的界面混合层,并预沉积了非晶碳膜,形成a-C/ta-C的梯度结构,有助于增强膜基结合力.
关键词:
四面体非晶碳膜
,
辉光刻蚀
,
电弧刻蚀
,
刻蚀时间
,
结构
席彩萍
材料开发与应用
采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,制备出碳纳米管薄膜.利用扫描电镜(SEM)和拉曼光谱仪对其进行表征,研究刻蚀时间对碳纳米管形貌的影响.结果表明:催化剂刻蚀时间对碳纳米管薄膜的生长起着重要作用,刻蚀时间为10 min时可获得定向性好、密度适中、杂质缺陷少的碳纳米管.
关键词:
碳纳米管
,
刻蚀时间
,
扫描电镜(SEM)
