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为了提高陶瓷与金属覆盖层的结合强度,较系统地研究了Al2O3(96%)陶瓷表面金属化过程,研究内容包括:陶瓷的表面刻蚀、表面催化、化学沉积条件等,综合分析了金属化层与陶瓷基体之间结合强度的影响因素,研究发现在熔融的NaOH浴中,可获得最佳刻蚀表面形貌,Al2O3(96%)陶瓷基片上化学镀层的最佳结合强度为25.0～32.5 MPa.为开发性应用提供了建设性的意见.

关键词: Al2O3陶瓷 , 刻蚀 , 催化 , 化学镀镍 , 表面金属化 , 表面形貌

Ti-O薄膜的溅射刻蚀微形貌表面对内皮细胞生长的影响

田仁来 , 黄楠 , 陈俊英 , 冷永祥 , 王露

功能材料

利用磁控溅射合成具有一定特性的Ti-O薄膜,并采用Ar离子溅射刻蚀该薄膜表面.运用原子力显微镜(AFM),X射线衍射(XRD)对刻蚀后的薄膜表面微观形貌、微结构进行表征.结果表明:薄膜的结构未发生变化,表面的粗糙度减小.进一步的人脐静脉内皮细胞(HUVEC)种植实验表明:表面粗糙度的变化对内皮细胞的贴附、生长与增殖有很大的影响.

关键词: 磁控溅射 , 刻蚀 , Ti-O薄膜 , 表面形貌 , 内皮细胞

氧等离子体对金刚石膜的刻蚀研究

吕宪义 , 金曾孙 , 郝世强 , 彭鸿雁 , 曹庆忠

新型炭材料 doi:10.3969/j.issn.1007-8827.2003.03.005

用微波放电法产生氧等离子体,通过改变系统中氧的浓度和金刚石膜的温度研究了氧等离子体对CVD多晶金刚石膜刻蚀的影响.实验结果表明:随着氧浓度的增加和金刚石膜温度的提高,刻蚀作用加剧;而在较低的氧浓度和金刚石膜温度条件下金刚石膜的晶界处首先被刻蚀,说明金刚石膜的境界处含有较多的非金刚石碳相.并且从等离子体对(100)和(111)面的刻蚀现象可知(100)面的生长是二维生长,(111)面的生长是岛状生长.

关键词: 氧等离子体 , 金刚石膜 , 刻蚀 , 结构特性

预置镍化学气相沉积法制备定向碳纳米管

马伟伟 , 周明 , 李刚 , 袁润 , 冯程程

材料科学与工程学报

采用化学气相沉积法(CVD),在溅射了镍薄膜的硅基底上制备了定向碳纳米管薄膜.对镍薄膜的氨气预处理过程及其机理进行了研究.结果发现预处理后的岛状区域随着薄膜厚度的增加而增加,纳米粒子区域的变化则与之相反.对5nm的镍薄膜进行预处理能获得细化和均匀分布的纳米粒子,有利于定向碳纳米管的生长.碳纳米管的生长过程及其细微结构与温度有很大关系.碳源的分解、碳原子在催化剂内部的扩散以及催化剂粒子的团聚三者之间的竞争决定了碳纳米管的生长情况.本文分析了碳纳米管的顶部生长模式及该模式下催化剂粒子的形态变化.

关键词: 预处理 , 刻蚀 , 定向碳纳米管 , 化学气相沉积

催化剂薄膜厚度对定向碳纳米管生长影响

李刚 , 卢黎明

材料热处理学报

采用热CVD方法直接在平面硅基底上成功地制备出定向碳纳米管薄膜。在反应中,镍过渡金属作为催化剂,碳氢化合物乙炔作为碳源,研究了催化剂薄膜厚度对高温氨气预处理后单晶硅衬底上沉积的催化剂镍膜的纳米结构形貌和所生长的定向碳纳米管薄膜等的影响规律。通过扫描电子显微镜（SEM）观察表明,高温刻蚀后,纳米镍颗粒的平均直径一定程度上取决于薄膜的原始厚度,且颗粒密度也取决于薄膜原始厚度,由于氨气的介入,厚为5～10 nm的镍催化剂薄膜具有高的颗粒数密度;碳纳米管的直径随催化剂薄膜厚度单调增大,而其长度随催化剂厚度的增加先增加后减少,且其定向程度随催化剂厚度的增加是先增强后减弱。

关键词: 化学气相沉积 , 定向碳纳米管 , 刻蚀 , 纳米颗粒

硅材料及其电化学研究进展

宋晓岚 , 杨海平 , 史训达 , 何希 , 邱冠周

材料导报

硅材料是现代信息科技的主要载体,而其电化学研究则是正确认识和应用硅材料的前提和基础.从硅的表面和界面特性出发,综述了硅的电化学方面的研究进展,阐述了硅电极的阳极和阴极反应行为,总结了硅的刻蚀以及多孔硅的电化学形成机制和影响因素,并进一步展望了硅材料电化学研究的未来发展方向.

关键词: 硅材料 , 电化学 , 电极反应 , 刻蚀 , 多孔硅

金刚石刻蚀技术研究

冯明海 , 方亮 , 刘高斌 , 侯爱国 , 张勇 , 王万录

材料导报

金刚石因其卓越的物理和化学性能一直蕴涵着巨大的应用潜力,但其极高的硬度和优异的化学稳定性使其难以被加工成型,因此,在作为新型电子功能材料走向实际应用过程中,金刚石的微细加工技术非常关键.对近年来国内外采用等离子体刻蚀技术加工金刚石的基本工艺特点和最新进展进行了较系统的比较和总结,重点分析了功率、气体种类、气体流量、偏压、掺杂类型、离子注入、掩膜等因素对刻蚀过程的影响,以期为工艺参数的进一步优化提供参考.

关键词: 金刚石 , 微细加工 , 刻蚀 , 等离子体

有机薄膜晶体管钛/金电极的刻蚀工艺研究

严剑飞 , 吴志明 , 太惠玲 , 李娴 , 付嵩琦

功能材料

采用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀和湿法刻蚀的方法,分别刻蚀有机薄膜晶体管(OTFT)的钛/金薄膜电极.改变刻蚀的工艺条件,研究了不同的刻蚀工艺对OTFT器件性能的影响,并对刻蚀结果进行了比较与分析.结果表明,ICP干法刻蚀不适合用来刻蚀OTFT器件的钛/金电极,而湿法刻蚀工艺可用于刻蚀关键尺寸为5μm及其以上的钛/金电极,其最佳工艺条件分别是n(HF):n(HNO3):n(H2O)=1:1:5和n(KI):n(I2):n(H2O)=4:1:40.

关键词: 刻蚀 , 有机薄膜晶体管 , 钛/金 , 最佳工艺条件