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TiN/Ti/SiO2/Si基板的分电极酸性化学镀铜

温锦生 , 刘超 , 钟声 , 杨志刚

稀有金属材料与工程

讨论了对TiNi/Ti/SiO2/Si基板在HF+CuSO4中采用分离双电极方法的化学酸性镀铜.Si基板和TiNi/Ti/SiO2/Si基板分别作为化学镀的阳极和阴极,在开路条件下进行化学镀.最佳化学镀反应条件为电极相距0.5 mm,[HF]和[CuSO4]大于8%(质量分数)和0.045 mol/L.最后得到覆盖率高、晶粒大小均一、结构致密、具有<111>择优取向的Cu膜,且Cu膜中不含Cu2O,降低了电阻率.

关键词: 分电极酸性化学镀 , Cu基板 , TiN/Ti/SiO2/Si基板 , 集成电路

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